【ANNEAL】 卓上型ウエハーアニール装置 の販売情報

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【ANNEAL】 卓上型ウエハーアニール装置の製品概要

Max1000℃、APC圧力自動制御、Φ4〜6inch、 ターボポンプ採用高真空アニール装置(<5 × 10-7 mbar)

高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です(APC自動プロセス制御システムオプション)。
又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。
チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により3種類のバリエーションがあります。

・ハロゲンランプヒーター:Max500℃
・C/Cコンポジットヒーター:Max1000℃(真空中、不活性ガスのみ)
・SiCコーティングヒーター:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)

◉ 基板サイズ:Φ2inch〜4inch
◉ SUS304水冷式チャンバー
◉ 到達圧力 5x10-5Pascal
◉ 最大3系統プロセスガス入力
◉ 最大3系統マスフローコントローラ(オプション)
◉ 7"HMIタッチパネル
◉ 高精度ワイドレンジ真空ゲージ 10-9〜1000mbar
◉ USB端子付、PCデータロギング機能
◉ ターボ分子ポンプ:EXT75DX(Edwards社)
◉ ロータリーポンプ:RV3/RV8(Edwards社)(*ドライポンプへの変更可能)
◉ Kタイプ熱電対(ヒーター制御用)付属

この製品の利用用途

・電子基板、半導体、表示ディスプレー等の薄膜開発
・コーティング材料、薄膜材料の開発
・光学薄膜、装飾膜等の産業用途

【ANNEAL】 卓上型ウエハーアニール装置の製品特長

ANNEAL 装置外観

コンパクトな卓上サイズ:750(W) x 500(D) x 400(H)mm

高精度プロセス圧力制御

キャパシタンスマノメータ + MFC(最大3系統:Ar, O2, N2, H2等)
PID自動ループ制御によるAP自動プロセス圧力制御

ランプヒーターステージ(水冷ハウジング)

最高使用温度 Max500℃

C/Cコンポジットヒーターステージ(Max1000℃)

使用雰囲気:真空中、不活性ガス中

C/Cコンポジット SiCコーティングヒーターステージ

最高使用温度 Max1000℃
使用雰囲気:真空中、不活性ガス、O2

ANNEAL 装置紹介動画

ANNEAL 装置紹介動画

【ANNEAL】 卓上型ウエハーアニール装置の製品仕様

ウエハーサイズ Φ4inch, 又はΦ6inch
最高使用温度 Max500℃(ランプヒーターステージ)
Max1000℃(C/Cコンポジット、SiCコーティングヒーターステージ)
チャンバー SUS304 トップローディング
プロセス圧力制御 キャパシタンスマノメータ + MFC(最大3系統:Ar, O2, N2, H2等)
PID自動ループ制御によるAP自動プロセス圧力制御
到達真空度 5x10-5Pascal
真空・排気系 ロータリーポンプ(ドライスクロールポンプ *オプション)
ターボ分子ポンプ
ワイドレンジ真空ゲージ:10-9〜1000mbar
温度センサー Kタイプ熱電対付属

【ANNEAL】 卓上型ウエハーアニール装置の詳細情報

メーカー テルモセラ・ジャパン
シリーズ 【ANNEAL】 卓上型ウエハーアニール装置
発売日 2020年4月1日
登録カテゴリ
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