nanoPVD-S10A 卓上型スパッタリング装置

nanoPVD-S10A 卓上型スパッタリング装置 Product Description

高機能ハイパフォーマンス コストパフォーマンスに優れた研究開発用RF/DCマグネトロン式卓上サイズスパッタリング装置

高機能 ハイパフォーマンス RF/DCマグネトロンスパッタリング装置
● 到達圧力5 x 10-5Pa（*1x10-4Paまで最速30分！）
● スパッタ源 x 3：連続多層膜膜制御, 同時成膜
● 膜均一性±3%
● 多彩なオプション：上下・回転、ヒータ、磁性材用カソード、他
◉ nanoPVDは、最大スパッタ源3源+3系統（MFC制御）、RF/DC PSUの増設（最大2電源まで）連続多層膜・2源同時成膜（RF/DC、又はDC/DCのみ）、など多目的にお使い頂くことができます。
・絶縁膜
・導電性膜
・化合物、他

【主な特徴】
◉ 対応基板：2"（1〜3源）、もしくは4"（1源）
◉ 2"カソード x 最大3源
◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール
◉ MFC搭載高精度プロセス制御
◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 最大3系統まで増設
◉ USB端子付 Windows PCに接続し、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング。
◉ 他、多彩なオプションを用意
◉ 装置運転・レシピ管理などの全てを7"タッチパネルで一元管理。
◉ ユーザの登録したフィルムレシピ、プロセス制御（真空引/ベント、成膜時間、出力/時間、MFC流量圧力自動制御、カソード切替、シャッター開閉、加熱・昇降回転調整など）を全自動運転（手動も可能）〜Windows PCでデータロギングができます。

【主な仕様】
・RF/DCマグネトロン方式
・2inchマグネトロンカソードx3源（標準1源）
・RF電源：150W 自動マッチング
・DC電源：850W
・対応基板サイズ2inch、4inch
・基板回転・上下昇降・加熱（500℃）オプション
・プロセスガス制御：MFC x 1（Ar標準、最大3系統増設：N2, O2）
・APC自動制御（キャパシタンスマノメータ オプション）
・水晶振動子膜厚モニタ
・シャッター
・寸法：804(W) x 570(D) x 600(H)mm
・重量：約70kg
・電源：200VAC 50.60Hz 15A
・チャンバーサイズ：Φ225（内径）x 250mm
・真空系：TMP + RP（ドライポンプ オプション）

Main Usage

大学・研究機関での真空薄膜実験、開発用途
・真空薄膜、電子基板デバイス用薄膜実験
・金属膜（Al, Au, Ag, Pt, Ti, *Ni, *Fe, Mo, Sn, etc..)
・絶縁膜 酸化膜 窒化膜（SiO2, ITO, TiN, MgO, HfO2, ZnO, etc.）

*磁性材料用高強度マグネットオプション
*2元同時成膜可能（DC + DC、又はDC + RFのみ）