SiC
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パワーデバイス 総合カタログ
SiC"トレンチ"MOSFET世界で初めて、量産を開始
高耐圧・低損失かつ高速なスイッチング性能、従来のシリコンデバイスにはない優れた特性を持つSiCパワーデバイス。今、その期待は、はかり知れないほど高まっています。世界が注...
ヒートシンク サブマウント
クロスエッジ(R)微細加工
•AlN、SiCの複合構成により高熱拡散性を確保•熱膨張係数(CTE)をコントロール•LD搭載面クリテイカルエッジ部のプルバックが不要•AuSn・AuGeはんだ蒸着対応が可能•シャー...
