Transpector(Ｒ)_CPM

P e r f o r m a n c e , R e l i a b i l i t y, a n d Ve r s a t i l i t y Transpector® CPM F a s t , F i e l d - r e a d y P r o c e s s M o n i t o r i n g S y s t e m

Precision measurement for modern semiconductor processes インフィコンのトランスペクターCPMは、半導体市場に かつ均一な成膜を必要とします。プロセスの最適化に おいて長年に亘り市場をリードし続けている残留ガス は、プリカーサ物質の投入量の正確な制御が必要と 分析計（RGA）プロセスモニターシステムであります。ト なります。進化したトランスペクターCPMは、毎秒555 ランスペクターCPMは、新たなセンサーや電子技術と データポイントの測定速度と業界最先端の感度によ 現場で実証されたポンピングおよびインレットシステ り、ALDプロセスのさまざまな課題に対処することがで ムの統合により、業界最先端の測定速度と感度を実現 きます。 しています。トランスペクターCPMは、ALD、CVD、PVD、 およびエッチング等、これまでの既存プロセスと新たに トランスペクターCPMは、最高速のRGAプロセスモニ 確立された半導体プロセスにも理想的なRGAプロセス ターであることに加え、長寿命のクローズドイオンソー モニターです。 スと現場で交換可能な電子増倍管により稼働時間の 最大化を実現しました。エッチングやCVDといったアプ トランスペクターCPMは高速で、 リケーションで見られる極めて腐食性の高いガスに対 すぐに現場で使用可能 しても、トランスペクターCPMのHexBlock™インレット インフィコンは、今日の半導体プロセスに対する要求 は化学耐性の高い316ステンレス鋼材から削り出し加 が以前にも増して高くなっていることを認識していま 工にて製作されており、ターボ分子ポンプと粗引きポ す。半導体アプリケーション向けの最高のガス分析性 ンプも耐食性が最大化されるよう設計されています。 能を実現するために設計されたトランスペクターCPM トランスペクターCPMは、市場で最も信頼性と汎用性 は、ALDおよびHDP CVDといった先進のプロセスモニ に優れたRGAプロセスモニターであり続けます。 タリングにも最適です。原子層プロセスは極めて薄く、 トランスペクターCPMは改善された測定速度（毎秒555データポイント）と業界最先端の感度を備え、ALDアプリケーションのさまざまな課題解 決に貢献します。 特長 ■ データポイント当たり1.8 m（s 毎秒555デー ■ コンパクトサイズ―半導体製造装置への ■ 耐食型隔膜真空計（CDG）―CDGでプロセ タポイント）の測定速度で、ALD対応 統合が容易 ス圧力を常時モニタリング、圧力の異常変 動時にはシステムを自動的に保護 ■ 過酷なCVDやエッチングアプリケーション ■ 最大で3つのサンプリング圧力インレット の現場で実証された耐久性と信頼性 を備えた表面積の小さいHexBlockが、表 ■ 自動校正―個々のセンサー、および個々の 面反応と応答時間を最小化 装置チャンバ間におけるデータの長期的 ■ アプリケーションソフトウェアとの統合― FabGuardソフトウェアとの統合、およびイ な安定性と正確性を保証 ンフィコンのワールドクラスのアプリケー ションサポートにより、パワフルなプロセス モニタリング／診断ツールの実現

高速データ収集 自動校正 長寿命 適用プロセス例： イオンソース 新たに設計された電子システ ■ 自動校正はオプションの校正用標準混合ガスを使用して、 ALDを含む先進プロセス ムによりRF設定時間を大幅に FabGuardソフトウェア上にて簡単に実行可能です。 トランスペクターCPMは全使用期 ■ 金属、絶縁膜、シリコン、および高密度プラズマエッチング 短縮、1.8 ms/データポイント 間を通してメンテナンスコストを を含むエッチングプロセス （約555データポイント/秒）の 低く抑え、堅牢で現場での交換が ■ High-k、HDP-CVD、LP-CVD、SA-CVD、CVD Low-k、 高速データ収集を実現。このような高速データ収集が可能 可能なクローズドイオンソースを PE-CVDなどのCVDプロセス なトランスペクターCPMは、ALDやHDP CVDといった先進 備えています。 ■ 拡散およびエピタキシャルプロセス の半導体アプリケーションの課題解決に最適です。 ■ 300 mmウエハ脱ガスプロセス ■ イオン注入 簡素化されたケーブルボックスデザイン 改良されたデザインのケーブルボックスが、トランスペク ターCPMのケーブルを集約・保護します。 革新的な電子増倍管 現場で実証されたインレットシステム 新しい低ノイズ・高ゲインの連続ダイ トランスペクターCPMのポンピングおよびインレットシステ ノード型電子増倍管は、現場での交換が ムは、最大で3つの異なるプロセス圧力がサンプリング可能 可能なためメンテナンス時のダウンタイ であり、腐食性アプリケーションにも対応する堅牢性を備え ム短縮、およびツールの稼働時間増大に た、現場で実証されたインフィコンのHexBlockにより構成 貢献します。 されます。 FABGUARDによるデータ収集および分析 プロセスゲージ トランスペクターCPMは、インフィコンのFabGuardソフト 腐食性の高いアプリケーションでも長期間使用可能な、 ウェアシリーズと統合することにより、パワフルなプロセ アップグレードされた耐食型CDGプロセスゲージ。 スモニタリング／診断ツールとなります。 ■ APC：高度なプロセス制御（エンドポイント検出等） ■ SPC：統計的プロセス制御 ■ Run-by-Runおよびリアルタイムでの異常検知と分類 フォアラインゲージ ポンピングシステムの簡単な診断を可能にする、新しい フォアライン用ピラニーゲージ。

インフィコンは、迅速な現地でのアプリケーションと 製品サポートを提供するためにプロフェッショナルな グローバルネットワークを展開しています。 トランスペクターCPMは、長年に亘りお客様へ価値ある投資効果を 提供してきました。 業界最先端の測定技術 堅牢で適応性に優れたアーキテクチャ ■ 業界最先端の感度と安定性を備えた革新的なセンサーデザインに ■ HexBlockインレットにより、最大で3つの異なるプロセス圧力がサ より、現場におけるより正確なプロセス制御が可能になります。 ンプリング可能なため、常に変化する半導体プロセスの状況に合 わせて調整が可能です。 ■ 最新の電子制御技術によりRF設定時間を大幅に短縮、ALD分析に とって不可欠なより高速の測定が可能になります。 ■ 高真空から大気圧までの幅広い圧力領域で測定が可能です。 ■ 特許取得の低ノイズ・高ゲイン電子増倍管は、より多くの価値ある ■  耐食型のインレット、ポンピングパッケージ、およびセンサーは、過 測定結果を提供します。 酷な環境での使用にも適しています。特にCVDやエッチングプロ セス用途にはオプションで追加のアノードライナーを備えたイオン ソースも準備しています。 容易なメンテナンス ■ 長寿命部品が平均メンテナンス間隔時間の伸長に寄与します。 優れた製品サポート ■ 電子増倍管、イオンソース、およびゲージは現場での交換が可能な ■ 迅速な現地アプリケーションと製品サポートを提供するため、エキ ため、効率的にメンテナンススケジュールを組むことも可能となり、 スパートによるグローバルネットワークを通じて半導体市場を始め 更に予定外の修理遅れなどのリスクも排除可能です。 としたRGAの分野で長年に亘り世界をリードしています。 ■ ダイヤフラムポンプも現場でメンテナンス可能です。 ■ インフィコンは革新的で信頼性が高く、歩留まり向上に役立つモニ タリングシステムを開発するためのリソース、専門知識、および経験 を有しています。

仕様 質量レンジ 1～100 AMU 1～200 AMU 1～300 AMU ピーク幅（@ ピーク高さの10%位置） ＜1 AMU イオンソースタイプ クローズドイオンソース 全圧レンジ1 6.7E-5～1.3E-1 Pa 全圧精度2 ±25% 1.3E-4～1.3E-1 Pa イオンソース最大動作圧3 1.3E-1 Pa イオンソース公称動作圧4 2.7E-2 Pa システム動作圧 1.3E-6 Pa～1.2気圧 （オリフィス／キャピラリ装備時） 感度 低エミッション、FCモード ＞3.0E-8 amps/Pa ＞1.5E-8 amps/Pa ＞7.5E-9 amps/Pa 高エミッション、FCモード ＞1.5E-7 amps/Pa ＞7.5E-8 amps/Pa ＞3.8E-8 amps/Pa 最小検知分圧5 1.3E-11 Pa 2.7E-11 Pa 5.3E-11 Pa 最大データレート 1.8 ms/ポイント （アナログスキャンまたは選択ピーク） （555データポイント/秒） アバンダンス感度6 ＜5 ppm ＜10 ppm ＜100 ppm ゼロブラスト7 ＜2 ppm ＜25 ppm ＜200 ppm 検出限界8 ＜1 ppm ＜2 ppm ＜4 ppm リニアリティ9 ±20% 最小バックグラウンド圧 1.3E-6 Pa センサー/インレット最大動作温度 150℃ 1 低エミッション時（全圧レンズ使用）における全圧指示値 5 ゲイン=10,000にてEM動作、ドウェルタイム=1s設定時のMDPP 2 低エミッション時における全圧精度 6 40 AMUが41 AMUへ及ぼす影響 3 低エミッション時における最大イオンソース動作圧 7 ゼロブラストが2 AMUへ及ぼす影響 （フィラメントオフの閾値） 8 空気中のクリプトンの最小検出濃度（ドウェルタイム=1s設定時） 4 クローズドイオンソース内における圧力が2.7E-2 Paの場合、 9 133 Pa以下のオリフィスにおいて、公称オリフィス圧力の0.1～2倍の領域におけるリニア 四重極領域の圧力は約1.3E-3 Paとなる リティ（低エミッション時） 寸法 152 mm (6.0 in.) 378 mm (14.9 in.) 545 mm (21.5 in.) インフィコン株式会社 本社オフィス　横浜市港北区新横浜2-2-8 新横浜ナラビル 5F 〒222-0033 技術サービスセンター 　横浜市港北区新横浜2-2-3 新横浜第1竹生ビル1F 〒222-0033 TEL : 0 4 5 – 4 7 1 – 3 3 2 8 　　　FAX : 0 4 5 – 4 7 1 – 3 3 2 7 TEL : 0 4 5 – 4 7 1 – 3 3 2 6 　　　FAX : 0 4 5 – 4 7 1 – 3 3 2 7 www.inficon.jp トランスペクターとFabGuardはインフィコンの登録商標、HexBlockはインフィコンの商標です。 弊社の継続的製品改善プログラムにより、仕様が通知なしに変更される場合があります。 aibc04a1-d ©2015 INFICON