【ANNEAL】 ウエハーアニール装置

Φ2inch, Φ4inchウエハー最高1000℃までの高温均一熱処理 最大3基までのマスフローガス系統 , APC自動圧力コントロール PLC自動プロセス制御 , 操作性に優れた7inchタッチパネルインターフェイス 優れた基本性能：真空度＜5x10-7mbar

ANNEAL A プロセス真空チャンバー D 外部出力端子 B フロントビューポート E ターボ分子ポンプ C タッチスクリーン F 電源接続口/ヒューズ G ガス/冷却水接続 3台までのMFCによる高精度プロセス雰囲気制御、操作性に優れたタッチパネル、安定した温度制御・優れた面内均一性 プロセス条件に合わせて3種類のヒーター熱源を選択可能な加熱ステージ、多目的なR&D用卓上ウエハーアニール装置 ANNEAL卓上型ウエハーアニール装置は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温処理が可能な研究開発用アニール装置です。高真空SUSチャンバー内 に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温熱処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保されており、フロント ビューポート、ドライスクロールポンプ、APCプロセス自動圧力制御システムなどのオプションも豊富に揃えております。 バルブ開閉、ポンプ・ゲージなど付属機器の起動などの操作が分散せず、全て前面7”タッチパネルより操作, データ管理など一元管理が可能。 【ハロゲンランプヒーター：Max500℃】 遠赤外線加熱による高効率・高速基板加熱。基板温度で約350℃までのアニー ル処理が可能。最も廉価なオプションですが、急速加熱・急冷ができ、さらに均 一熱処理にも優れており、コストパフォーマンスの高い発熱源です。 【C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃】 C/Cコンポジット素線を使用することにより、最高制御温度1000℃, 基板温度約 850℃程度までの高温アニール処理が可能です。一般的な抵抗発熱体と比較 し機械的強度に優れている為熱変形が少なく、又急速昇温も可能です。 *C/Cコンポジットは350℃以上より酸化します為、O2使用の際はSiCコーティン グをご使用下さい。 【SiCコーティング・グラファイトヒーター：Max1000℃】 最高制御温度1000℃、基板温度で約850℃までの超高温アニール処理が可 能。SiCコーティング処理により、高温環境下でもC/Cコンポジット発熱体の酸化 を防ぎます。 Technical Specification ウエハーサイズ 最大Φ4inchサイズ プロセスガス 最大3系統 MFC付属 真空排気系 ターボ分子ポンプ、ロータリーポンプ、WRGワイドレンジゲージ 到達真空度 5×10-5Pa ANNEAL 温度センサー Kタイプ熱電対 ※外形寸法：804(W) x 504(D) x 442(H)mm オプション APC プロセス圧力自動制御パッケージ, キャパシタンスマノメータ, 大気圧制御モジュール H2ガス希釈モジュール , ドライスクロールポンプ 左：ランプ加熱ヒーターステージ 水冷電極式 中：ランプ加熱ヒーターステージ 平板下ヒーターバルブ部写真 右：CCコンポジットヒーターステージ 最高使用温度 1000℃ Distributor : Japan PRODUCT INFORMATION email: sales@moorfield.co.uk t: +44 (0)1565 722609 w: moorfield.co.uk