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高性能が持続する Gen3x4 M.2 2280 SSD MEC3F0S シリーズは画像処理などの継続的な書き込み用途に最適
MEC3F0S シリーズ Factsheet
■製品の特徴
■製品概要
※詳細は関連リンクにてお問合せください
関連リンク - https://www.silicon-power.com/web/jp/support
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このカタログについて
ドキュメント名 | 産業用SSD Gen3x4 M.2 2280 NVMe シリコンパワーMEC3F0S シリーズ |
---|---|
ドキュメント種別 | 製品カタログ |
ファイルサイズ | 1.1Mb |
登録カテゴリ | |
取り扱い企業 | シリコンパワージャパン株式会社 (この企業の取り扱いカタログ一覧) |
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このカタログの内容
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製品の特徴
• 高品質の 3D TLC NAND フラッシュ技術搭載
• インダストリアル規格 NVMe1.3 準拠の PCIe Gen3x4
• グローバルウェアレベリングと初期不良ブロックの検出
• TRIM、NCQ、DEVSLP コマンド対応、PCIe Gen1.0/2.0/3.0 インターフェイスをサポート
• 製品寿命の向上
Direct-to-TLC と SLC キャッシュ向上により、WAF 最適化を実現
ブロック/ページ RAID 機能でデータ復旧を確実に
スタティックデータリフレッシュによるデータ完全性を確保
• 高信頼性インダストリアルグレードの統合アクティブ PMU および OVP、OCP、サージ除去、短絡保護を備えた完全な保護設
計
• 内蔵 DRAM により、持続的性能の最適化
• パワーシールド FW アーキテクチャにより電断耐性を確保
• AES256 暗号化および TCG Opal2.0 準拠(オプション)
• SP SMART Toolbox 対応
• SP SMART Embedded と SMART IoT サービス対応(ご要望に応じて)
• 大容量データを扱うアプリケーションでの IOPS 増加に伴い、PCIe ベース SSD の最大の利点はパフォーマンスの向上です、
32 チップの NAND フラッシュ構成では、最大読み出し性能:3400MB/s、最大書き込み性能:3100MB/s に達します
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製品概要
• 容量:1TB, 2TB, 4TB, 8TB
• フォームファクタ:M.2 2280 PCIe Solid State Drive (80 mm x 22 mm x 3.5 mm)
• インタフェース:PCIe Gen3x4 (Gen1/2/3 準拠)
• コマンドセット:NVMe1.3 standard command protocol
• 性能:
1TB 2TB 4TB 8TB
シーケンシャルリード (MB/s Max.) 3,400 3,400 3,400 3,400
シーケンシャルライト (MB/s Max.) 1,900 3,100 3,000 3,000
ランダム 4K リード (IOPS Max.) 330,000 670,000 570,000 570,000
ランダム 4K ライト (IOPS Max.) 500,000 645,000 650,000 660,000
*仕様と容量によって実際のパフォーマンスは異なります
• 動作温度範囲:
通常:0°C to 70°C
拡張:-15°C to 85°C(ご要望に応じて)
拡張:-40°C to 85°C (ご要望に応じて)
• 保存温度範囲:-55°C to 95°C
• 動作電圧:3.3 V ± 10%
• 消費電力:
(単位: W) 1TB 2TB 4TB 8TB
読み出し (Max.) 2000 1970 2425 1700
書き込み (Max.) 1760 1820 2070 1970
スタンバイ (平均) 550 580 670 700
*仕様と容量によって実際の数値は異なります
• データ保存 @40 °C : 製品使用初期 10 年、寿命近く 1 年
• 耐久性(TBW) : (単位: TB)
Workload 1TB 2TB 4TB 8TB
Sequential 1340 2720 6070 TBD
Enterprise TBD TBD TBD TBD
TBW 計算公式 TBW = (Capacity x PE Cycles) x (1+OP) x (WLE) / (WAF)
OP (Over Provision) = (Physical Capacity / Logical Capacity)-1
WAF = Write Amplification Factor
WLE = Wear Leveling Efficiency Workload または使用したデータサイズとアクセスレートによって異なる可能性があります
Sequential workload:VDBENCH スクリプトにより生成され、テストされます
Enterprise workload:JESD219A の定義に従い、VDBENCH スクリプトにより生成され、テストされます
• 環境試験(IEC-60068) :
振動 : 15G, 10 ~ 2001Hz
落下 : 76cm
衝撃 : 1,500G@0.6ms
• LDPC ECC engine と Block/Page RAID による 3K PE cycles の信頼性を確保します
• MTBF > 2,000,000 時間
• データ信頼性:Non-recover Read (UBER) ≤1016
• 厳密な品質管理と保証
100%NAND フラッシュ選別
高耐久性製品設計で 3D NAND 製品を提供する
設計仕様を満たすため、各生産ロットで高温/低温のダイナミックバーンインテストを実施して、生産品質をモニターします
国際規格 IEC-60068/61000 に準拠した信頼性基準