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産業用SSD Gen3x4 M.2 2280 NVMe シリコンパワーMEC3F0S シリーズ

製品カタログ

高性能が持続する Gen3x4 M.2 2280 SSD MEC3F0S シリーズは画像処理などの継続的な書き込み用途に最適

MEC3F0S シリーズ Factsheet
■製品の特徴
■製品概要

※詳細は関連リンクにてお問合せください
関連リンク - https://www.silicon-power.com/web/jp/support

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このカタログについて

ドキュメント名 産業用SSD Gen3x4 M.2 2280 NVMe シリコンパワーMEC3F0S シリーズ
ドキュメント種別 製品カタログ
ファイルサイズ 1.1Mb
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このカタログの内容

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製品の特徴 • 高品質の 3D TLC NAND フラッシュ技術搭載 • インダストリアル規格 NVMe1.3 準拠の PCIe Gen3x4 • グローバルウェアレベリングと初期不良ブロックの検出 • TRIM、NCQ、DEVSLP コマンド対応、PCIe Gen1.0/2.0/3.0 インターフェイスをサポート • 製品寿命の向上 Direct-to-TLC と SLC キャッシュ向上により、WAF 最適化を実現 ブロック/ページ RAID 機能でデータ復旧を確実に スタティックデータリフレッシュによるデータ完全性を確保 • 高信頼性インダストリアルグレードの統合アクティブ PMU および OVP、OCP、サージ除去、短絡保護を備えた完全な保護設 計 • 内蔵 DRAM により、持続的性能の最適化 • パワーシールド FW アーキテクチャにより電断耐性を確保 • AES256 暗号化および TCG Opal2.0 準拠(オプション) • SP SMART Toolbox 対応 • SP SMART Embedded と SMART IoT サービス対応(ご要望に応じて) • 大容量データを扱うアプリケーションでの IOPS 増加に伴い、PCIe ベース SSD の最大の利点はパフォーマンスの向上です、 32 チップの NAND フラッシュ構成では、最大読み出し性能:3400MB/s、最大書き込み性能:3100MB/s に達します
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製品概要 • 容量:1TB, 2TB, 4TB, 8TB • フォームファクタ:M.2 2280 PCIe Solid State Drive (80 mm x 22 mm x 3.5 mm) • インタフェース:PCIe Gen3x4 (Gen1/2/3 準拠) • コマンドセット:NVMe1.3 standard command protocol • 性能: 1TB 2TB 4TB 8TB シーケンシャルリード (MB/s Max.) 3,400 3,400 3,400 3,400 シーケンシャルライト (MB/s Max.) 1,900 3,100 3,000 3,000 ランダム 4K リード (IOPS Max.) 330,000 670,000 570,000 570,000 ランダム 4K ライト (IOPS Max.) 500,000 645,000 650,000 660,000 *仕様と容量によって実際のパフォーマンスは異なります • 動作温度範囲: 通常:0°C to 70°C 拡張:-15°C to 85°C(ご要望に応じて) 拡張:-40°C to 85°C (ご要望に応じて) • 保存温度範囲:-55°C to 95°C • 動作電圧:3.3 V ± 10% • 消費電力: (単位: W) 1TB 2TB 4TB 8TB 読み出し (Max.) 2000 1970 2425 1700 書き込み (Max.) 1760 1820 2070 1970 スタンバイ (平均) 550 580 670 700 *仕様と容量によって実際の数値は異なります • データ保存 @40 °C : 製品使用初期 10 年、寿命近く 1 年 • 耐久性(TBW) : (単位: TB) Workload 1TB 2TB 4TB 8TB Sequential 1340 2720 6070 TBD Enterprise TBD TBD TBD TBD TBW 計算公式 TBW = (Capacity x PE Cycles) x (1+OP) x (WLE) / (WAF) OP (Over Provision) = (Physical Capacity / Logical Capacity)-1 WAF = Write Amplification Factor WLE = Wear Leveling Efficiency Workload または使用したデータサイズとアクセスレートによって異なる可能性があります Sequential workload:VDBENCH スクリプトにより生成され、テストされます Enterprise workload:JESD219A の定義に従い、VDBENCH スクリプトにより生成され、テストされます • 環境試験(IEC-60068) : 振動 : 15G, 10 ~ 2001Hz 落下 : 76cm 衝撃 : 1,500G@0.6ms • LDPC ECC engine と Block/Page RAID による 3K PE cycles の信頼性を確保します • MTBF > 2,000,000 時間 • データ信頼性:Non-recover Read (UBER) ≤1016 • 厳密な品質管理と保証 100%NAND フラッシュ選別 高耐久性製品設計で 3D NAND 製品を提供する 設計仕様を満たすため、各生産ロットで高温/低温のダイナミックバーンインテストを実施して、生産品質をモニターします 国際規格 IEC-60068/61000 に準拠した信頼性基準