シリコンパワーMEC3H0Eシリーズは、-40℃から85℃の幅広い温度範囲で安定した動作を実現します。極端な高温や低温環境とモバイル環境に最適な製品です
MEC3H0Eシリーズ Factsheet
■製品の特徴
■製品概要
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関連リンク - https://www.silicon-power.com/web/jp/support
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このカタログについて
| ドキュメント名 | 産業用SSD PCIe Gen 4x4 M.2 シリコンパワーMEC3H0Eシリーズ |
|---|---|
| ドキュメント種別 | 製品カタログ |
| ファイルサイズ | 1.1Mb |
| 登録カテゴリ | |
| 取り扱い企業 | シリコンパワージャパン株式会社 (この企業の取り扱いカタログ一覧) |
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このカタログの内容
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製品の特徴
• 高品質の 112 層 3D TLC NAND フラッシュ技術搭載
• インダストリアル規格 NVMe1.4 準拠の PCIe Gen4x4
• TRIM コマンドをサポートし、不使用データを消去して最適なパフォーマンスを維持
• ダイナミック SLC キャッシュアルゴリズムにより、より優れた持続的性能を実現
• SSD が書き込み回数限界に達すると、リードオンリーモードを発動してデータ破損を防ぐ
• 製品寿命の向上
ダイナミックウェアレベリングとスタティックウェアレベリングとの両方に対応
初期不良ブロックの検出とと後天性不良ブロックの管理
オーバープロビジョニングによって余剰領域を確保し、信頼性と耐久性を高める
ブロック/ページ RAID 機能でデータ復旧を確実に
• 高信頼性インダストリアルグレードの統合アクティブ PMU および OVP、OCP、サージ除去、短絡保護を備えた完全な保護設
計
• パワーシールド FW アーキテクチャにより電断耐性を確保
• SP SMART Toolbox 対応
• SP SMART Embedded と SMART IoT サービス対応 (ご要望に応じて)
• 大容量データを扱うアプリケーションでの IOPS 増加に伴い、PCIe ベース SSD の最大の利点はパフォーマンスの向上です、
16 チップの NAND フラッシュ構成では、最大読み出し性能:4700MB/s、最大書き込み性能:3800MB/s に達します
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製品概要
• 容量：256GB, 512GB, 1TB
• フォームファクタ：M.2 2280 PCIe Solid State Drive (80 mm x 22 mm x 3.5 mm)
• インタフェース：PCIe Gen 4x4 (Gen1/2/3 準拠)
• コマンドセット：NVMe1.4 standard command protocol.
• 性能：
256GB 512GB 1TB
シーケンシャルリード (MB/s Max.) 3,800 4,700 4,700
シーケンシャルライト (MB/s Max.) 1,700 3,400 3,800
ランダム 4K リード (IOPS Max.) 200,000 450,000 570,000
ランダム 4K ライト (IOPS Max.) 400,000 550,000 600,000
*仕様と容量によって実際のパフォーマンスは異なります
• 動作温度範囲：
通常： 0°C to 70°C
• 保存温度範囲： -55°C to 95°C
• 動作電圧：3.3 V ± 10%
• 消費電力：
(単位: W) 256GB 512GB 1TB
読み出し (Max.) TBD TBD TBD
書き込み (Max.) TBD TBD TBD
スタンバイ (平均) TBD TBD TBD
*仕様と容量によって実際の数値は異なります
• データ保存 @40 °C : 製品使用初期 10 年、寿命近く 1 年
• 耐久性(TBW) : (単位: TB)
Workload 256GB 512GB 1TB
Sequential >200 >300 >600
Enterprise TBD TBD TBD
TBW 計算公式 TBW = (Capacity x PE Cycles) x (1+OP) x (WLE) / (WAF)
OP (Over Provision) = (Physical Capacity / Logical Capacity)-1
WAF = Write Amplification Factor
WLE = Wear Leveling Efficiency Workload または使用したデータサイズとアクセスレートによって異なる可能性があります
Sequential workload：VDBENCH スクリプトにより生成され、テストされます
Enterprise workload：JESD219A の定義に従い、VDBENCH スクリプトにより生成され、テストされます
• 環境試験(IEC-60068) :
振動 : 15G, 10 ~ 2001Hz
落下 : 76cm
衝撃 : 1,500G@0.6ms
• LDPC ECC engine と Block/Page RAID による 3K PE cycles の信頼性を確保します
• MTBF > 2,000,000 時間
• データ信頼性：Non-recover Read (UBER) ≤10-16
• 厳密な品質管理と保証
100％NAND フラッシュ選別
高耐久性製品設計で 3D NAND 製品を提供する
設計仕様を満たすため、各生産ロットで高温/低温のダイナミックバーンインテストを実施して、生産品質をモニターします
国際規格 IEC-60068/61000 に準拠した信頼性基準