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プラズマCVD装置　PEGASUS PLAT FORM

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株式会社セルバック
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◆PEGASUS　PLAT FORM
300 mm Process の自動化に適合したシステムを構築し 、 省スペース 、優れた生産性とシステム信頼性でウエハ当たりの生産コストの削減に貢献します 。
最大4 つのロードポート 300 mm FOUP の装備が可能で 、 高い柔軟性と装置の高寿命化を実現

◆PEGASUS　HDP CVD
高品質の低温絶縁膜やボイドフリーギャップフィル膜を可能とし、業界をリードする CVD 装置です。同装置のリアクターは、複数世代にまたがる製造における生産性、コスト効率、拡張性を実現します。

◆PEGASUS HDP　CVD
独自設計の RF コイルを搭載し、ウェーハ面内に優れたギャップフィルを実現します。リアクターの設計により優れた膜質と均一性を実現し、 ICP プラズマクリーニングと組み合わせることで、欠陥の低減とウェーハ処理枚数増加させます。

◆PEGASUS　ASH
〜 300mm ウエハ対応の高密度プラズマによる低ダメージレジストアッシング装置です。
ダブルプラズマ（ICP 、 ICP リモート）の採用により、イオンアシスト、リモート洗浄促進で低ダメージの処理とクリーン化に優れメンテナンス簡易化によるダウンタイムの削減に大きく貢献します。又、F 系 Gas 添加プロセスに最適なチャンバ 構成になっており、パーティクルフリーで対応可能です。

◆PEGASUS　RTA
真空下で高速回転（ 240rpm ）の 1100℃ を可能とし、ハードウエアの温度制御によりインプラントやスパイクアニールに対して均一性良く処理します。
温度の幅が非常に広く、シリサイド・アニールなどの低温からウェーハ・アニールといった超高温まで対応します。

◆MERCURY1800
ディスプレイ（ LCD 、 OLED ）の大型基板に対応した高密度プラズマ CVD です。
AR、パシベーション、水蒸気バリアの機能膜を大面積基板に対して、低温で高品質な膜を成膜します。
大面積基板に対し重要なファクターである膜のストレスコントロールと緻密性を両立します。
生産性に関わる、チャンバー洗浄、基板搬送も独自の技術を持っています。

◆PEGASUS　RtoR
高密度プラズマ CVD からなる基板搬送型低温デポジション装置です。
高密度プラズマ式は、ガス分解効率が優れている為、常温で高密度の膜が成膜出来ます。
又、チャンバー内に電極を持たない構造は、基板搬送位置、機構が自由に設計でき、且つ熱による基材の伸縮が無い為、テンション調整、巻取り機構が簡素化できます。

◆詳細はカタログをダウンロードしご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

このカタログについて

ドキュメント名 プラズマCVD装置　PEGASUS PLAT FORM
ドキュメント種別 製品カタログ
ファイルサイズ 1.2Mb
登録カテゴリ
取り扱い企業 株式会社セルバック (この企業の取り扱いカタログ一覧)

このカタログの内容

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PEGASUS （SEMICONDUCTOR) ＆ MERCURY （DISPLAY） TOTAL SOLUTION SELVAC CORPORATION
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PEGASUS Plat Form PEGASUS PLAT FORMは、300mm Processの自動化に適合したシステムを構築し、省スペース、 優れた生産性とシステム信頼性でウエハ当たりの生産コストの削減に貢献します。 最大4つのロードポート（300mm FOUP ）の装備が可能で、高い柔軟性と装置の高寿命化を実現
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PEGASUS HDP-CVD Memory / Logic / Power device / 3DIC PEGASUS HDP-CVD は、高品質の低温絶縁膜やボイドフリーギャップフィル膜を可能とし、業界をリード するCVD装置です。同装置のリアクターは、複数世代にまたがる製造における生産性、コスト効率、拡張性 を実現します。 PEGASUS HDP-CVD は、独自設計のRFコイルを搭載し、ウェーハ面内に優れたギャップフィルを実現しま す。リアクターの設計により優れた膜質と均一性を実現し、ICPプラズマクリーニングと組み合わせること で、欠陥の低減とウェーハ処理枚数増加させます。 ・メモリ、ロジックのゲート絶縁膜 ・SiCパワーデバイスのMOSゲート絶縁 ・TSVのVia側壁絶縁膜 ・SAWフィルターの温度補償膜 ・CMOSセンサーの反射防止 ・イオン注入のマスク
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PEGASUS-ASH Ashing / Etching / Modification PEGASUS ASHは、〜300mmウエハ対応の高密度プラズマによる低ダメージレジストアッシング装置です。 ダブルプラズマ（ICP、ICPリモート）の採用により、イオンアシスト、リモート洗浄促進で低ダメージの処理とク リーン化に優れメンテナンス簡易化によるダウンタイムの削減に大きく貢献します。 又、F系Gas添加プロセスに最適なチャンバ−構成になっており、パーティクルフリーで対応可能です。 ・ノーマルPRアッシング ・イオンインプラント剥離 ・有機膜はく離（PI、DFRなど）剥離 ・酸化膜エッチング
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PEGASUS-RTA Memory / Logic / Power device 先進デバイスでは、低リーク電流と高い信頼性、サーマルバジェットの低減より薄く高品質な酸化膜が 必要とされます。独自のラジカル酸化技術により、低いサーマルバジェットで高密度かつ高品質な酸化膜を生成し ます。 PEGASUS-RTAは、真空下で高速回転（240rpm）の1100℃を可能とし、ハードウエアの温度制御により インプラントやスパイクアニールに対して均一性良く処理します。 温度の幅が非常に広く、シリサイド・アニールなどの低温からウェーハ・アニールといった超高温まで対応します。 ・活性化アニール ・パワーデバイスのアニール ・イオン注入後の活性化アニール ・酸化膜生成アニール ・シリサイド形成、サリサイド形成 ・強誘電体キャパシタの成膜 ・ゲート酸化膜形成
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MERCURY 1800 OLED / LCD MERCURY-1800は、ディスプレイ（LCD、OLED）の大型基板に対応した高密度プラズマCVDです。 AR、パシベーション、水蒸気バリアの機能膜を大面積基板に対して、低温で高品質な膜を成膜します。 大面積基板に対し重要なファクターである膜のストレスコントロールと緻密性を両立します。 生産性に関わる、チャンバー洗浄、基板搬送も独自の技術を持って、 ・水蒸気バリアフィルム ・有機ELバリア膜
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MERCURY RtoR OLED / LCD / SOLAR CELL PEGASUS RtoRは、高密度プラズマCVDからなる基板搬送型低温デポジション装置です。 高密度プラズマ式は、ガス分解効率が優れている為、常温で高密度の膜が成膜出来ます。 又、チャンバー内に電極を持たない構造は、基板搬送位置、機構が自由に設計でき、且つ熱による基材の 伸縮が無い為、テンション調整、巻取り機構が簡素化できます。 ・水蒸気バリアフィルム ・フィルム太陽電池 ・フィルム表面処理 ・脱ガス処理
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SPECIFICATION PEGASUS PEGASUS-ASH PEGASUS-RTA MERCURY-1800 MERCURY R2R HDP-CVD Memory、Logic Memory、Logic Memory、Logic Organic EL Organic EL Use Power Device Power Device Power Device liquid crystal liquid crystal 3DIC 3DIC Solar cell Solar cell Insulating film Insulating film Insulating film Insulating film Characteristic Protective film Double plasma Protective film Protective film Barrier membrane Barrier membrane Barrier membrane SiO2、SiN、SiON、 Resist、carbon、 Oxidation、 SiO2、SiN、SiON、 SiO2、SiN、SiON、 Membrane type a-Si SiO2 Nitriding Anneal a-Si a-Si Stage size 〜φ300mm 〜φ300mm 〜φ300mm ５G、φ6inch×25 〜1000mmFilm