半導体デバイスのための高分解能イメージングと電気特性評価

半導体デバイスのための 高分解能イメージングと電気特性評価 ZEISS GeminiSEM FE-SEM Family 500 nm 1 µm 100 nm 100 µm 14 nm ロジックデバイスのコンタクトレイヤーで形状と 角度選択型反射電子検出器で撮影された 7 nm FEOL 自動化された歪みのない大面積タイリングによって半 電位コントラストを得るための二次電子（SE）による 構造の高分解能イメージングと材料コントラスト 導体ダイを検査できる、業界をリードするソリューショ 同時イメージング（左：SE2、右：InlensSE） ン（挿入画像は高倍率での構造を示す） 半導体デバイスがより小さく、高速か また、ZEISS GeminiSEMは、電位コン いて歪みなく大面積の高分解能、高 つ複雑になるにつれて、IC設計者は相 トラスト（Passive voltage contrast）お 解像度なイメージングを可能にします。 互接続密度の高い 3Dアーキテクチャ よびナノプロービング技術に求められ これらは Geminiカラムの高度な電子 を採用し、新しい材料を実装するよ る観察条件下においても優れたイメー 光学制御によって可能になり、ZEISS製 うになりました。こうしたナノスケー ジングを実現します。イマージョンレ ソフトウェア ZENプラットフォームで自 ルデバイスの開発、特性評価、不良 ンズやステージバイアスを使用しない 動化されます。 解析には、イメージングと解析に使 ため、低加速電圧観察で業界をリード 用する高度な機器と技術が必要です。 する分解能とサンプルの柔軟性を達成 主要なアプリケーション ZEISS GeminiSEM電界放出型走査電子 できます。 • 構造解析とベンチマーク 顕微鏡（FE-SEM）は、これらの課題に • 材料解析と不良解析 対応するように最適化されています。 高分解能イメージング、 • 電気的故障解析 解析およびサンプルの柔軟性 • 電位コントラスト デバイスの特性評価や故障解析の際 ZEISS GeminiSEMファミリーは、高度 • 高度な電気特性評価 に、ビーム感受性が高い材料には な半導体デバイスの特性評価に必要な • EBIC/EBACおよびナノプロービング 低加速電圧観察が必要です。ZEISS 性能を備えています。 GeminiSEMは低加速電圧観察におい GeminiSEMプラットフォームにより、高 て優れた性能を発揮します。観察対象 度な電気特性評価のためのナノプロー のデバイスや欠陥部位にダメージや電 ビングや AFMとの in-situ観察が簡単 気的な変化を与えることがありません。に行えます。さらに材料特性評価の さらに、一般的には観察することが困 ための EDSや透過菊池線回折（ TKD） 難な組成差の微小構造を持つデバイス などの解析も可能となります。広視野 であっても、優れた材料コントラストを 観察、大面積検査、リバースエンジニ 示します。 アリングを伴うアプリケーションにお

ナノプロービングにおける GeminiSEMプラットフォームのメリット • サンプルへの電場と磁場の暴露がない光学系 – 測定中の電気特性への影響なし • ビーム感受性の高い高度なデバイス向けの低加速電圧における高分解能観察 • 高精度の電気特性評価を可能にする、業界で最も安定したビーム電流 • 大規模な回路接続ブロックを解析し、プローブ接触を確認するための、歪みのない広い視野 • 7 nmテクノロジーノードで実証済みの安定性と性能 500 nm 200 nm 200 nm ロジックネットの EBACトレース。 SRAMアレイの EBIC 解析。プローブ領域の p+/n-well EBIRCH解析。マルチフィンデバイスで、欠陥フィンを 接合および n+/p-well接合を強調 強調 microscopy@zeiss.com www.zeiss.com/geminisem 医療措置または診断用ではありません。一部の製品は入手できない国があります。詳細は ZEISSジャパンにお問い合せください。 JP_42_012_327 CZ | 1-2021 | 設計、お届けする製品の内容、技術的な内容は予告なく変更される場合があります。| © Carl Zeiss Microscopy GmbH