光学顕微鏡の常識を覆す偏光顕微鏡XS-1
XS-1はパワーデバイス用半導体として注目されているSiCウェーハなどの内部に存在する結晶由来の欠陥（マイクロパイプ、貫通刃状転位、貫通螺旋転位、基底面転位、積層欠陥、インクルージョンなど）を高感度でリアルタイムに可視化する装置です。
ビジョンサイテック独自の光学理論と位相差演算処理（特許出願済）により、僅かなリタデーション変化や格子歪の詳細なプロファイルを捉えることで、可視光領域を使用するレーザー検査装置あるいは偏光顕微鏡では捉える事ができない様々な原子レベルの結晶欠陥を観察することが可能になりました。
XS-1は光学式としての偏光や複屈折特性を基本として、従来にない一軸性極性結晶体に特化した独自の光学系と位相差演算を駆使した技術（特許出願済）でシンクロトロン放射光によるX線トポグラフィーなどの大型放射光施設の観察に匹敵、あるいはそれ以上の情報を得ることに成功しました。それにより材料の評価が現場レベルで可能になり、またそれに要するコストが大幅に軽減されます。
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このカタログについて
| ドキュメント名 | 装置_ XS-1 SiC結晶転位高感度可視化測定器 |
|---|---|
| ドキュメント種別 | 製品カタログ |
| ファイルサイズ | 2Mb |
| 取り扱い企業 | Mipox株式会社 (この企業の取り扱いカタログ一覧) |
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このカタログの内容
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エ ク セ ス ワン
結晶転位高感度可視化装置
転位などによる
極微弱な歪みを
可視化する
パワーデバイス用の基板として注目される単結晶SiCウェーハなどの内部に存在する結晶欠陥由来の
内部歪みを、当社独自の光学理論と位相差演算処理によってわずかな位相差を捉えることで、高感度に
リアルタイムで可視化する装置です。
FEATURES 観察承ります！ XS-1によるデモを含めた技術相談、ご相談ください！ 試料の受託観察を承っております
SiCをはじめとした主要な半導体結晶の観察が可能
単結晶GaN、単結晶AIN、単結晶ダイヤモンド 等
放射光Ｘ線トポグラフィーに匹敵する結晶転位検出能力
500µm
卓上タイプでコンパクト
実験室や製造ラインに容易に設置が可能
3″φ n 型単結晶4H-SiC 基板の全面観察結果
非破壊検査かつリアルタイム性
● スポット観察で取得したデータをオンタイムで連結し、ウェーハ全面
迅速に結晶内部歪みの評価が可能 をシームレスで撮影
● SEMI規格SiCウェーハ1～6インチ（今後8インチに拡張予定）に対応の
X線やレーザ光源を用いていない ほか、規格外の形状、サイズ（破片・小片等）にも対応可能
各種届け出や有資格者が不要
Mipox株式会社 CSE2 塗る・切る・磨くで世界を変える
受託研磨、表面／内部欠陥検査に関する
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