薄膜エッチングコントロール用イオンミリングプローブ

Page 1:HIDEN ANALYTICAL IMP SeriesEnd Point Detectors薄膜エッチングコントロール用イオンミリングプローブ

Page 2:HIDN ANALYTICAL, モデル IMP シリーズ エンドポイント検出器イオンビームエッチングのコントロールモデル IMP プローブはイオンビームエッチングアプリケーションの制御のために設計されました。このプローブは四重極トリプルマスフィルタ、電子衝撃型イオナイザー、コンパクトエネルギーアナライザ、二次電子増倍器、イオンレンズにより構成されており、二次イオンを直接検出し、強度変化のリアルタイム表示及びエッチングプロセスのコントロールが可能。オンラインプロセスの評価PC の Window 上にミリングプロセスの波形が表示されます。エッチングされた材料は質量の波形強度で表示され、イオンのシグナル強度はデバイスの境界面に対し早いレスポンスで反応します。最適なコントロールのための生産ツールが組み込まれております。他に、本システムはベース圧力分析、プロセスガスモニタと、残留ガスアナライザによりリーク検出器として機能します。モデル IMP の機能・デバイスの境界面を高速で識別・複雑な多層構造に対応した検出感度・終点の自動検出・耐コンタミネーション構造・プロセス装置への後付対応・ベース圧力、残留ガス分析とリーク検出プロセスコントロールとインターフェイスモデル IMP プローブはあらゆるインターフェイスのアウトプットに対応できます。・リレーコンタクト・TTL アウトプット・ASCII シリアル通信・アナログ /-10V,12bit アウトプット多層膜のプロセスモニタリアルタイムに表示される波形の強度と傾斜から深さの情報を得ることができます。扱いやすいソフトウェアモデル IMP シリーズは I/O 機能やトリップ機能など、あらゆる制御機能と共に WindowsTM MASsoft は扱いやすいソフトウェアであり、広範囲のデータを取り扱える記憶能力とプロセス統計、ネットワーク等の通信オプションを提供できます。

Page 3:モデル IMP プローブ － デバイス加工での完全制御レスポンスを最適化し、エッチレートをモニタリングイオンミリングプローブは多層デバイス境界面の識別の再現と、正確さが重要な生産アプリケーションに用いられます。製品開発ではエッチレートと深さから、デバイスの状態の把握と複雑な材料とデバイスを評価するシステムに不可欠です。エッチング製品選択コントロールインターフェースとソフトウェアは材料イオンのレシピを外部制御で自動選択(＊オプション)します。 そして、エッチングの状態はリアルタイムでシステムモニターに強度変化を表示します。 すべての情報が他のプログラムによる評価解析や、統計分析用のデータエクスポートを可能にするために自動的に記憶されます。プロセス導入による自動運転I/O インターフェイスによりプロセスの自動化を可能にし、オペレーターの手間を省きます。データ収集がプロセスツールにより開始し、終点に達した時、手動による start/stop の必要なくエッチングプロセスは終了します。アプリケーション・MR センサーMR や GMR ヘッド製造でクラスタツール加工の終点検出Ta/NiF/Pt 多層構造のミリングデータ例では、それぞれの境界面が識別され、希望の深さでミリングを終えることが出来ます。・高温超伝導体高温超伝導体でのミリング深さの決定に信頼性を提供します。YBa2Cu3O7 と PrBa2Cu3O7 の例では類似の構造と化学性質の識別が可能です。データは YBa2Cu3O7 - PrBa2Cu3O7 二層間のミリングデータです。イオン化 Pr と Y の強度変化グラフから境界面の状態が判ります。・III-V 半導体このシステムは急速に発展している III-V 族材料の研究に適しています。IMP プローブはコンパクトで取り扱いやすく、リアルタイムにマルチ量子井戸構造での性格な分析と特性評価ができます。AlGaAs / GaAs のミリングデータを右に示します。GaAs の井戸の中心位置である 79Åで /- 5Å以内で終了できます。性能保障モデル IMP プローブはエッチング深さの決定とフィルム成長、堆積均等性の決定に優れています。参考文献：DRA,Malvern,UK データ

Page 4:HIDEN ANALYTICAL モデル IMP プローブ － 設置に容易なコンパクトデザインチヤンバー設置システム構成モデル IMP プローブは生産又は開発のイオンビームエッチングシステムに組み込み出来るよう設計されています。必要面積が小さい為、スペースへの需要が大きい製造装置に適しています。あらゆる装置形状に対応し、最適なサンプリングと配置に適した取り込み形態を Z 軸移動機構のオプションやインライン型と 30 度偏向型を選択できます。研究や生産アプリケーションから得た豊富な経験により HIDEN ANALYTICAL 社モデル IMP は複雑な多層膜デバイス製造でも能力を発揮します。HIDEN ANALYTICAL モデル IMP プローブ － デバイス製造での正確な終点検出柔軟性のあるシステムにより性能を発揮最適なサンプリングのために 2 つの形状を用意してあります：

Page 5:HIDEN ANALYTICAL モデル IMP プローブ － 材料と仕様材料下表の材料はモデル IMP エンドポイント検出器を用い、識別することが出来る例です。レイヤ アプリケーション例Ga/Ni Ni マスクでの GaAs エッチング。Ni マスク消耗をシグナル表示するSi/Ga III-V 半導体の上の SiO２の識別Au/Cr/Al Al 基板上の Au / Cr を識別Au/Ti/Ga GaAs の Au/Ti 接点を認識Mo/Ge Mo/Ge 多層膜構造の正確な認識Al/In Al In As/InP２つの半導体間の境界面識別Ga/In (GaInAsP) Ga シグナルの表示で 3 元素 (GaInAs), ２元素 (InP),４元素構造の間の識別Ga/In InP/30× (GaInAs/InP) InP での 多層４元素障壁構造からの個別の量子井戸の発見Al/Ga 79 Å の GaAs の量子井戸で分割された AlGaAs の２層間エッチングの Al シグナルでサンドイッチ構造を識別Y/Pr ２つの高温超伝導体ＹBa２Cu２Ｏと Pr Ba２Cu３O７の層間を識別Y/Ba/Cu/Mg 多層の高温超伝導体で別の層の識別NiCr/Cu/NiFe/SiO2 磁気ディスク用ヘッド 製作上のアプリケーションで識別された元素：ガリウム、チタン、シリコン、金、クロム、アルミニウム、インジウム、モリブデン、ゲルマニウム、イットリウム 、プラセオジム、バリウム、銅、ニッケル 、鉄、プラチナバキュームシステムポンプ： UHV マニホールド、60l/s ターボ分子ポンプ真空計： プローブ保護インターロック用UHV ぺニングゲージシステム制御アプリケーションソフト： データ解析システムとしてWindows MASsoft を採用オペレーティングシステム：Windows7、8.1、10コミュニケーション： RS232,RS422,RS485,EthernetLANインターフェイス： 16bit 標準 2 チャンネル,インプットモードオプション 8 チャンネルまで増設可能。0～10V アナログ標準 1 出力,12bit16 出力まで増設可能。標準ロジック I/O 5 チャンネル,リレー出力 2 チャンネルアラーム： 追加オプションで、ステータスウインドウ上で指定したメッセージに対し High-Low/Low-High で出力可能。真空保護： 外部インターロック(エンドポイントサンプリング中),RGA モードに内部フィラメント保護機能付。仕様イオンミリングプローブ質量範囲： 300m/zマスフィルタ： トリプルフィルタ(3F タイプ）エネルギーフィルタ： 0～100eVイオン源： 電子衝撃型イットリアコートイリジウムツインフィラメント検出器： パルスイオンカウント・チャンネルトロンダイナミックレンジ： 107 C/S感度： 2.5kV,0.5mA/cm-2 のアルゴンイオンビーム,プローブからアルミニウムのターゲットまでの距離75mm で産出された電流は m/e 27 で106Counts/secベークアウト温度： 250℃最大動作圧力： 5X10-6 Torr(プローブ内),10-3 Torr(プローブ外)取り付けフランジ： DN-63-CF取付ポート(内径最大)： 65mm

Page 6:■ 仕様は予告なく変更されることがあります。HIDEN ANALYTICAL モデル IMP シリーズイオンレンズの仕様により、あらゆるチヤンバーに対応できます。バキュームシステムスペアとアクセサリーコンポーネントUHV 差動排気用プローブハウジング60 l/s UHV ターボ分子ポンプセット240 l/s UHV ターボ分子ポンプセット腐食性ガス用ポンプセットIMP プローブ保護用ぺニングゲージインターロックプロセスチェンバー開放時 IMP プローブ遮断用、自動空圧可動ゲートバルブ予備、イットリアコートイリジウムフィラメント注文コード2024003037023037123037213038053050110201400HIDENANALYTICAL社では他に半導体と薄膜アプリケーションのプロセス製品を取り揃えております。モデル IMP は他に PVD,CVD,MBE 等のアプリケーションに残留ガス分析やオンラインプロセスガスモニタとして対応できます。システム 質量範囲(m/z) 検出器 イオン入射 注文コードIMP301/3F/PIC/A 300 パルスカウント インライン 413020IMP301/3F/PIC/B 300 パルスカウント 30º 413021〒213-0033 神奈川県川崎市高津区下作延 4-10-10TEL: （044）982-3152FAX: （044）982-3153E-mail: info@innovation-science.co.jpWebsite: http://www.innovation-science.co.jp・HAL RC-RGA シリーズ真空中残留ガス分析真空診断に用いられ高速で正確であり取り扱いやすい四重極質量分析計。ベース圧力の解析やリーク検出が出来ます。・HPR-30 シリーズ高性能プロセスコントロールガス検出器ウエハー製造プロセスガスを直接検出し、リアルタイムに品質管理ができます。オンラインの統計とコントロールチャートのグラフ表示を特徴とします。HIDEN ANALYTICAL プラズマモニター製品・モデル EQPプラズマサンプリングシステム高感度な質量,エネルギーアナライザーであり、プラズマプロセスの正負イオン,中性粒子,ラジカルを正確にモニターできます。・モデル ESPION最先端静電ラングミューアプローブ電位,電子温度,電子密度,イオン密度,電子エネルギー分布,デバイ長,フローティング電位,プラズマ電位などの主要なプラズマ電気的性質のルーチン分析ができます。販売代理店