四重極質量分析計　薄膜フィルム・プラズマ・表面技術

THIN FILMS, PLASMA & SURFACE ENGINEERING Mass Spectrometers for Thin Films, Plasma & Surface Engineering HIDEN ANALYTICAL社 四重極質量分析計 薄膜フィルム・プラズマ・表面技術

質量分析計 薄膜フィルム, プラズマ & 表面技術 研究開発向け装置 HIDEN ANALYTICAL社は35年以上に渡って最高品質の四重極質量分析計の製品開発を行っ ています。当社製品は高感度・正確性・高再現度を世界規模のサービスとサポートネットワーク を以って提供します。日本には30年以上前(1989年）に初めて納入されました。 弊社製品は薄膜フィルム製造研究と表面技術開発及びその機能化研究に貢献しており、マ イクロエレクトロニクス、ナノテクノロジー、ソーラーパネル、フラットパネル、メカトロニクス、 光学、フォトニクス、宇宙科学、薄膜コーティング、化学、生物学、医学、農業科学といった 様々な分野で研究開発の使用例が見られます。 薄膜フィルム製造工程には以下に挙げる様々な技術が使われています： X マグネトロンスパッタリング X ALD – Atomic Layer Deposition　(原子層堆積) X CVD – Chemical Vapour Deposition 　（化学気相成長） X MOCVD – Metal Organic Chemical Vapour Deposition （有機金属CVD） X PECVD – Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition （プラズマCVD） X MBE – Molecular Beam Epitaxial growth （分子線エピタキシー） X RIE – Reactive Ion Etch (反応性イオンエッチング） X IBE/RIBE – Ion Beam Etch and Reactive Ion Beam Etch (イオンビームエッチング/反応性イオンビームエッチング) 上記の製造技術は特定用途向けに調整することが多く、その際、表面/フィルム特性を生 成する特殊な工程処理数値を要します。 HIDEN ANALYTICAL社製質量分析計は、薄膜フィルム処理と特性評価に関する重要な 洞察を提供し、フィルム生産と表面処理の品質向上を実現します。HIDEN ANALYTICAL 社製システムは、感度・速度ともにベストな結果を得る為、それぞれのシステムを個別に 調整しています。 B | Mass Spectrometers for Thin Films, Plasma & Surface Engineering

Contents モデルHMT - 高圧残留ガス分析装置 モデルHPR-30 & RGA - プロセスガス・残留ガス分析計 モデルPSM - プラズマサンプリング質量分析計 モデルEQP シリーズ - 正・負イオンエネルギーアナライザ、中性種、ラジカル質量分析計 モデルHPR-60 MBMS - 大気圧イオン・ラジカル分析計 モデルESPion - プラズマ診断用のラングミュアプローブ モデルAutoSIMS モデルIMP-EPD - イオンビームエッチング向け終点検知器 モデルXBS - 分子ビーム分析とデポジション制御用の堆積速度管理モニターl モデルTPD WORKSTATION- UHVﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ温度､ｶﾞｽ脱着(TPD/TDS)研究装置、UHV自動昇温脱離ガス分析計 二次イオン質量分析計 (SIMS) - マテリアル・表面分析装置 SIMS コンポーネント- SIMS 拡張機能 SIMS ソフトウェア- SIMSマッピング, イオンソースコントローラー M ASsoftプロフェッショナルソフトウェア - 多機能・多目的、質量分析コントロールソフトウェア モデルEQP series Ar+ ion energies. 6x10-2 mbar 20 kHz plasma. 12000 10000 8000 6000 4000 2000 0 20 eV 0 eV MCS - パルスプラズマ分析用マルチチャンネルスケーラーモード Mass Spectrometers for Thin Films, Plasma & Surface Engineering | 1

モデルHMT High Pressure Residual Gas Analyser 高圧対応残留ガス分析計 RGAでの10-2 Paを超える真空プロセス管理には通常、外付け差動 排気ポンプが必要となります。また、高圧測定用の質量分析計を 使用する場合、低圧の際に感度が低下してしまいます。 HIDEN ANALYTICAL社製モデルHMT分析計は、高圧での動作を 可能にしつつ、デュアルモードで高真空でのRGA性能をフルに維 持します。 具体的な機能として 圧力が10-2Paから10-11Paまでの高性能残留ガス分析が可能な プロファイル質量スキャン_RGA 高感度モード UHVモード 10-2 Paから5x10-1Paの高圧測定モード モデルHMT マルチコンポーネント トレンド分析 モデルHMTシステムの高圧モードが下のグラフに表示されて います。ここではアルゴン充填ガス流量が次第に増加してい るのが観察できます。 HP-Faraday: torr HMT measurement (Ar) Chamber pressure vs Ar flow in chamber 0.0012 1.80E-04 1.60E-04 特徴: 0.001 1.40E-04 0.0008 1.20E-04 1.00E-04 5x10-1 Paまでの高圧環境動作モード 0.0006 8.00E-05 RGAモードでの１０-11Paの高感度分析 0.0004 6.00E-05 4.00E-05 0.0002 100 m/z質量範囲 2.00E-05 0 0.00E-05 24時間で+/- 1％誤差の安定性 00.00 01.00 02.00 03.00 04.00 05.00 06.00 07.00 08.00 09.00 10.00 0 5 10 15 20 25 Time mm:ss Ar flow in chamber (sccm) Argon 高速アクセスの混合スキャンモード モデルHMT　圧力１０-2　Paでのプロセスチヤンバー内アルゴンの計測 リアルタイムのバックグラウンド減算 Chamber pressure vs Ar flow in chamber 1.80E-04 1.60E-04 2 | Mass Spectrometers for Thin Films, Plasma & Surface Engineering 1.40E-04 1.20E-04 1.00E-04 8.00E-05 6.00E-05 4.00E-05 2.00E-05 0.00E-05 0 5 10 15 20 25 Ar flow in chamber (icon) Chamber pressure IG (Torr) Chamber pressure (Torr)

モデルHPR-30 Process and Residual Gas Analysis プロセスガス・残留ガス分析 モデルHPR-30は真空処理および真 空診断での発生ガスと蒸気成分向 商品 け残留ガス分析計です。 モデルRGA シリーズ – 化学研究向け真空 このシステムは利用環境に応じて動 測定用の残留ガス分析計 作処理を調整することができます。 モデルDLS-1 質量範囲200m/zまでのHe/ 使用例としてCVD、プラズマエッチン D₂、³He/HD/Tおよび重水素化炭化水素 グ、MOCVD、プロセスガスクリーニ ング、処理工程中の汚染物質監視 （CxHyおよびCxDyなど）の分離装置 などがあります。 モデルHPR-30 シリーズ – 薄膜フィルム デポジションやエッチングプロセスにおける モデルHPR-30 カート- モデルHPR-30分析計は、分析稼働 ユーザーサンプリングでの 高感度・高速反応ガスおよび蒸気成分の 部での直接サンプリングをするよう 高さの調整が可能 分析に特化した真空プロセス分析装置と 設計されている為、サンプル再注入 アパーチャーを隣接搭載しており、 なっており、CVD、ALD、MOCVDおよびRIE データ整合性と処理状況の確認を での使用例があります。 迅速に実施することができます。 搭載オプションには、高アバンダンス感度、 10億分の1（ppb）検出レベル、 耐汚染性能を備えたHIDEN ANALYTICAL社製3Fシリーズ、トリプルフィルター四重極 質量分析システムが含まれ、CVDおよびRIEアプリケーションでの腐食性ガスの分析に 特化しています。モデルHPR-30のサンプリングシステムは、ALDおよびMOCVD使用例 での高質量ガス種およびその前駆体の分析に特に適しています。 モデルRGA シリーズ TiN Deposition Cycles SIM : torr 特徴/オプション: 1e-06 1e-07 ＊金属と有機金属蒸気ガスのサンプリ ングに特化した特注インレット装置 ＊300, 510 or 1000m/zの高質量範 1e-08 囲オプション ＊UHV質チャンバーベース圧力測定と 1e-09 リーク検出用の高感度RGA ＊プロセスガス/蒸気組成変化に迅速 1e-10 に反応するサンプル再注入口 0.00 1.00 2.00 3.00 4.00 5.00 6.00 7.00 8.00 9.00 Time mm:ss ＊幅広い圧力範囲で分析処理と感度を Scan 1 : mass Scan 2 : mass Scan 3 : mass Scan 4 : mass Scan 5 : mass Scan 6 : mass Scan 7 : mass Scan 8 : mass Scan 9 : mass 28.00 32.00 44.00 40.00 2.00 18.00 15.00 14.00 20.00 最適化させたガス/蒸気サンプリング システム モデルHPR-30 TiN デポジションのデータ Mass Spectrometers for Thin Films, Plasma & Surface Engineering | 3

モデルPSM Mass/Energy Analyser for Positive Ions, Neutrals and Radicals from Plasma プラズマ中の正イオン、中性種、ラジカル分析の為の質量・エネルギー分析計 HIDEN ANALYTICAL社モデルPSM プラズマイオン分析計は、プ 使用例: ラズマイオンと同位体分析用に設計された四重極質量分析計を プラズマ化学研究でのラジカル分析とイオンエネルギー分析 搭載し、プラズマ特性評価とプロセス診断に利用されています。 パルスプラズマ研究 モデルPSMシステムには、イオンインパクトイオナイザー(EI)、トリ プルフィルター質量分析計、インラインエネルギー分析装置を備 パルスプラズマでのナノ粒子検知 えたイオン抽出機能/排除機能が装備されています。エネルギー プラズマエッチング研究/終点検知 分析装置は、対象プラズマイオンのイオンエネルギー分布を測 パルスレーザーデポジション研究 定することができます。イオン抽出機能/排除機能は、プラズマイ ECR 、ICPプラズマ研究 オン起因のバックグラウンド効果を除去する役割を担い、従来の RGAと比較した場合、プラズマからサンプリングされる中性種に 対する分析感度が向上しています。モデルPSMはイオンインパク トイオナイザー(EI)搭載で、TIMSイオン化質量分析計による中性 ラジカル分析を実施します。質量分析範囲は300 m/zで、エネル ギー範囲は100 eVとなっています。 また、プラズマサンプリング オリフィスの挿入長は最大230 mmです。交換可能なサンプリング オリフィスが、プローブチップに取り付けられています。標準オリ フィスは、TMP 60 L/secの差動排気で最大50 Paの圧力領域に 対応します。追加オプションでは、この範囲を200 Pa、2ｋ Pa、10kPaまたは大気サンプリング圧(100kPa)まで拡張すること ができます。 モデルPSM System - プラズマ内 モデルPSM 特徴: プロセスプラズマイオンの正イオン分析 ベゼルボックス搭載エネルギーアナライザーでのプラズマイオ ンエナジー分析 RGAモードでの中性種、汚染物質、漏洩検知の計測分析 HiPIMSおよびパルスプラズマ研究用の50 ns時間分解モード (マルチチャンネルスケーラーカード(MCS)は別売りオプション) MASsoft プロフェッショナルPCソフトウェア 正イオン種　スペクトラム 4 | Mass Spectrometers for Thin Films, Plasma & Surface Engineering

モデルEQP シリーズ Mass/Energy Analyser for Ions, Neutrals and Radicals from Plasma プラズマ中のイオン、中性種、ラジカル分析の為の質量・エネルギー分析計 HIDEN ANALYTICAL社モデルEQPシリーズ四重極質量分析計システ ムは、プラズマ特性評価とプロセス診断において、プラズマイオン質量 とプラズマエネルギーを分析するように設計されています。 モデルEQPシステムは、正イオンと負イオンの両方を測定できます。 イ オンインパクトイオナイザー(EI)のイオン源により、中性種及びラジカル 種の分析が可能となっており、出現電位質量分析を実施することがで きます。 さらに、電子付着イオン化モードは、ラジカル種を負イオンにす ることにより、接触断面積の研究用に開発されています。新しいEQPシ モデルEQP System - プラズマ内 リーズには、さまざまなプラズマ分析タスクに適した高性能四重極質量 分析計を搭載しています。 HIDEN ANALYTICAL社製トリプルフィルター分析計のモデルEQP-6は モデルEQPｰ20 直径6 mmの四重極ロッド径となっており、質量範囲300, 510 m/zの装 モデルEQP-9 置があります。モデルEQP seriesは高い安定性と質量伝達を実現する モデルEQP-6 モデルEQP Series 為、オプションで分析範囲を選択することができます。追加ｵﾌﾟｼｮﾝでの Ar+ ion energies. 6x10-2 mbar 20 kHz plasma. 質量分析範囲は機種によってそれぞれ50、300、510、1000、5000 m/z です。ロッド径9mmのモデルEQP-9もあり、最大の分析範囲を誇るモデ ルEQP-20は20mmロッド径の四重極と切り替え可能なデュアルRFゾー 12000 switンchモabーleド dをu備alえ RFた zフoラneッ mグoシdッesプ. Tモhデe ルです。モデルEQP-20は、HeとD2 10000 8000 の質量分離や最大200 m/zまでの超高安定度分析を要する超高質量 6000 分解能実験に特化しています。エネルギー範囲は標準で100 eV、ま 4000 2000 た、別途オプションで1000 eVまで用意しております。 0 20 eV 交換可能なサンプリングオリフィスが、プローブの先端に取り付けられ ています。標準オリフィスは、標準の60 L/secのTMP差動排気で最大 50Paの圧力領域に対応します。別途オプションで、この圧力範囲を 0 eV 200Pa、2kPa、10kPaおよび大気サンプリング圧(100kPa)に拡張すること ができます。 MCS - マルチチャンネル計測モード_HiPIMS・パルスプラズマ分析 モデルEQPは、大小ほとんどのプラズマチャンバーに適合します。プラ ズマサンプリングオリフィス付のプローブは、最大750 mmまで延長でき 特徴: ます。磁気シールドオプションでは、磁気閉じ込めプラズマでの動作を 提供します。 +ve ・-veイオン分析 モデルEQPシステムでは以下に例を挙げるプラズマ研究で使用されて います。 ラジカル分析電子付着の出現電位質量分析 ラジカル分析のためのネガティブイオン化モードオプション プラズマ研究使用例： 磁気シールドオプションでの磁気閉込めプラズマ分析 HiPIMS 衛星用イオンエンジンの性能評価 搭載RGAモードでの中性種、汚染物質、漏洩検知の計測分析 ECR – 電子サイクロトロン放電 イオンエナジー分布検知用セクターフィールドエナジー分析 マグネトロン放電 半導体製造装置の性能評価 ヘリコンソース 歩留まり向上のための条件出し MASsoft プロフェッショナル PC ソフトウェア DCグロー放電プラズマ プラズマプロセスの解明 オプションでのHiPIMSおよびパルスプラズマ研究用の50 ns時 パルスプラズマとレーザーアブレーション 間分解測定モード（ﾏﾙﾁﾁｬﾝﾈﾙｽｹｰﾗｰMCS） パラレルプレート– RFプラズマ ICP – 誘導結合プラズマ Mass Spectrometers for Thin Films, Plasma & Surface Engineering | 5

モデルHPR-60 MBMS for Ion and Radical Analysis 大気圧イオン・ラジカル分析用装置 HIDEN ANALYTICAL社製モデルHPR-60大気圧プラズマ質量分析 装置は、反応ガス中間体分析用のコンパクトなスキマー注入口を 搭載の質量分析計です。ラジカルは、マルチステージ差動排気ポ ンプのスキマーインレット注入口を介してイオンソースに転送・挿入 される為、他種との干渉を最小限に抑えるだけでなく、イオン壁衝 突もありません。カスタマイズ可能なインレットの為、低圧から大気 圧プラズマを含む多くのリアクターシステムに接続することができ ます。スキマーシステムは、高精度なトリプルフィルター、パルスカ ウント質量分析計と組み合わせて、超高速反応と高精度サンプリ ング機能を提供します。 プラズマ化学、プラズマトーチ、プラズマジェット等の性能解析 モデルHPR-60 MBMS サンプル導入部分 反応速度分析 過渡現象研究 触媒反応器 大気誘電体バリア放電からの水和クラスターイオン モデルHPR-60 MBMS　（モデルEQP-9搭載） 特徴: 大気圧での分子ビームサンプリング +ve ・-veイオン分析 角度調整可能なユーザー取替え型スキマーコーン ラジカル研究のための電子付着イオン化モード ラジカル分析用のAPSI-MSソフトイオン化モード 室温でスプレーされたエタノール中のInCl3のエアロゾルのインジウム含有フラクション の質量スペクトル。 最下スペクトルは、エアロゾル生成前のチャンバー内のバックグラ 質量範囲オプション：300、510、1000または5000m/z ウンド測定。 中央スペクトルはエアロゾルがオンになっているときに記録。上部スペク トルは、室温に保持されたチューブに2分間噴霧した後に測定。 エネルギー範囲オプション：100 eVまたは1000 eV S Gledhill et al. 2011 Thin Solid Films 519 6413-6419 6 | Mass Spectrometers for Thin Films, Plasma & Surface Engineering

モデルESPion Advanced Langmuir Probe for Plasma Diagnostics プラズマ診断用のアドバンスド ラングミュアプローブ モデルESPion Probe - プラズマ内 ESPion Probes モデルESPionプローブは、下記例に挙げるプラズマの電気的特性 の測定を提供します プラズマ電位 フローティングポテンシャル（浮遊電位） 電子温度 電子密度 イオン密度 電子エネルギー分布 モデルESPion データ イオンフラックス HIDEN ANALYTICAL社製モデルESPionプローブでのI-Vプラズマ 特性の継続観察により、プラズマ安定性と再現性の分析結果を得 FEATURES: られます。その際、リアルタイムにプラズマパラメーターの自動採 取をすることで、特性評価および均一性観察などの詳細情報を得 10¹⁴〜10¹⁹ m⁻³範囲イオンおよび電子密度 ることができます。 最大10 eVの電子温度 モデルESPionシステムは、Orbital Motion Limited（OML）とAllen 電子エネルギー分布関数（EEDF） Boyd Reynolds（ABR）を低圧プラズマ特性評価用の標準プラズマ プラズマ電位 モデルとして採用しています。 フローティングポテンシャル HIDEN ANALYTICAL社製自動Zシフトドライブは、プラズマボリュー デバイ長 ム全体の空間分解測定を実施します。 標準のZドライブ変換オプ パルス、DC、RF、およびECRプラズマ向け ションは、300、600、900 mmとなっています。手動もあります。 パルスプラズマ分析用信号ゲーティング Mass Spectrometers for Thin Films, Plasma & Surface Engineering | 7

モデルIMP-EPD End Point Detector for Ion Beam Etch イオンビームエッチング用終点検知器 モデルIMP-EPDは、イオンビームエッチングプロセスからの二次イ オンおよび中性粒子を分析するための、差動排気を使用した高耐 久型二次イオン質量分析計です。 このシステムには、プロセス制 御の為、プロセス特化型アルゴリズム（エンドポイント終点検出）を 備えたコンピューターソフトウェアが含まれています。自動タイプで は、エンドポイントを自動で検出し、ミリング装置をコントロール制 御可能です。手動タイプでは、画面のシグナルを見ながら、エンド ポイントを確認し、ミリングを止めることも可能です。 モデルIMP-EPDシステムは、磁性薄膜、高温超伝導体、III-V半導 体をはじめとする高仕様薄膜デバイス製造アプリケーションで実証 された装置です。 終点検出 モデルIMP-EPD 立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの計算 多重堆積層での終点検知　 （多層金属の同金属の二層目の検出など） 基準ピークに対する終点検知 ウェーハ回転にEよnd るPoi自nt u動sin信g R号efer補enc正e peak 40000 Cobalt 35000 Tantalum 30000 25000 End Point using Reference peak 40000 End Point at 20000 % rise faCcotobralt 35000 15000 Tantalum 30000 10000 25000 Ref. peak TEanndt aPluomint at 5000 20000 % rise factor 0 15000:00 0:20 0:40 1:00 1:20 1:40 2:00 2:20 2:40 Time MM:SS 10000 Ref. peak Tantalum 5000 0 0:00 0:20 0:40 1:00 1:20 1:40 2:00 2:20 2:40 Time MM:SS フレキシブルで高解能な終点検知 モデルIMP-EPD 処理室への取り付け Multilayered Sample: FeMn/NiFe/Cu/Co/NiFe/Ta 160000 15000 Iron 14000 13000 12000 Copper 特徴: 11000 10000 Multilayered Sample: FeMn/NiFe/Cu/Co/NiFe/Ta 1690000000 Manganese 185000000 Iron 自動終点検出 174000000 1 Cobalt 63000000 12000 Copper 最小<0.5 nmの高解像度エンドポイント 5000 141000000 Nickel 130000000 高耐久型 9000 Manganese 2000 18000000 Tantalum 高感度SIMS分析 70000 Cobalt 600004:50 05:10 05:30 05:50 06:10 06:30 06:50 07:10 07:30 07:50 08:10 5000 プロセスチャンバー真空診断用の残留ガスアナライザーモード Time MM:SS 4000 Nickel 3000 リアルタイム200エ0 ッチング観察 – ズームビュー 1000 Tantalum 0 04:50 05:10 05:30 05:50 06:10 06:30 06:50 07:10 07:30 07:50 08:10 Time MM:SS 8 | Mass Spectrometers for Thin Films, Plasma & Surface Engineering SEM c/s SEM c/s SEM c/s SEM c/s

モデルXBS Deposition Rate Monitor for Molecular Beam Analysis & Deposition Control 分子ビーム分析とデポジション制御用のデポジションレートモニター ハイデン アナリティカル社製モデルXBSシステムは、複数のビー ムソースを同時に監視するために設計された四重極質量分析計 で、70°コーンを介したユニークなビーム採取方法を採用してい ます。 種別固有のアナログ信号を利用して、ビーム強度信号を ユーザーの光源制御モジュールへ送ります。 ビーム採取開口部は、特定プロセスチャンバソース位置に個別に 調整されることで、交換可能なプラグイン要素として設計されてお り、チャンバーが変更された場合にも遡及的に調節できるように なっています。MBEプロセスでの蒸発成分やフラグメントをモニ ターする為、高い耐汚染性を備えた専用設計となっています。ま た、トリプルステージマスフィルターと水冷式密封プローブを搭載 することで放射熱源と汚染物質からプルーブを保護する設計に モデルXBS プローブ なっています。 MBEプロセスのモニターと制御 分子ビーム研究 マルチビームソース分析 光イオン化研究 脱着/脱ガス研究 プロセスチャンバー内の汚染物質の監視と診断 3Fシリーズの三段マスフィルターを備えた高性能RGA 真空品質検証用の高感度ヘリウムリークチェックモード モデルXBS 水冷式密封プローブと Z-ドライブ 特徴: 高感度-最小検出可能分圧_2.5x10-12 Pa 質量範囲: 320 or 510 m/z クロスビームイオン源で横軸に対して+/- 35°のビーム受け入 れが可能 ビーム源位置に合わせて調整されたビーム採取開口部 ビーム採取開口部 成長速度の測定は通常<0.001 nm（0.01Å）（種に依存） 別途オプションの水冷式密封容器 Mass Spectrometers for Thin Films, Plasma & Surface Engineering | 9

モデルTPD WORKSTATION A System for UHV Temperature Programmed Desorption (TPD/TDS) Studies UHV自動昇温ガス質量分析計（TPD / TDS）研究用システム モデルTPD WORKSTATIONは、UHV環境下で TPD/TDSでの熱脱着生成ガス分析に特 化した万能研究システムです。 モデルTPD WORKSTATIONは、加熱用サンプルステージ 付きマルチポートUHVチャンバーを搭載し、パルスイオンカウント検出器と高精度トリプル フィルターアナライザーに接続することで超高感度・時間分解能分析を実施することがで きます。トリプルフィルター質量分析計は密閉式冷却容器構造となっており、輻射熱による ガス放出を最小限に抑え、サンプル脱着生成ガスへの最適な分析感度を提供します。 迅 速なサンプル交換を可能にするために、高速サンプルロードロック機構とサンプル転送機 能が搭載されています。サンプル転送機構では、サンプルのみがロードロックからヒー ターステージに移送され、TPD実験中のサンプルホルダーからのガス放出を防ぎます。 モデルTPD WORKSTATIONに付属するハイデン アナリティカル社製熱分析ソフトウェア (TPDsoft)は、分析計制御の一環としてサンプル温度の自動管理機能を持っています。 TPD分析ルーチン（レシピ選択、ピーク積分、デコンボリューション、バックグラウンド減算 など）もこのパッケージに含まれています。 モデルTPD WORKSTATION　とホットサンプル 制御用TPDsoftとTPD実験分析 特徴: ハイデン アナリティカル社製 3F PIC質量分析計による高速 データ収集（> 500データポイント/秒） 追加機器接続の為のマルチポートUHVチャンバー（エリプソ メーター接続用など） ゲートバルブとビューポートを含むサンプル転送メカニズムと ロードロック 1000℃耐熱サンプルステージ サンプル/検出器の配置用Zドライブ ベイクアウトジャケット（最大200°C） モデルTPD WORKSTATION 実験プロトコルのソフトウェア制御 10 | Mass Spectrometers for Thin Films, Plasma & Surface Engineering

SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY (SIMS) SYSTEMS for Reliable and Flexible Analysis of Materials and Surfaces 二次イオン質量分析（SIMS）システム フレキシブルで信頼性のある成分分析と表面分析 モデルSIMS WORKSTATIONに付属するHIDEN ANALYTICAL社製 モデルAuto SIMS – 100 mm x 熱分析ソフトウェア（TPDsoft）は、分析計制御の一環としてサンプ 60 mmのサンプル領域で、自己 ル温度の自動管理機能を持っています。TPD分析ルーチン（ピーク 完結型で自動プログラム化され 積分、デコンボリューション、バックグラウンド減算など）もこのパッ た分析計。カスタムサンプルホ ケージに含まれています。SIMS製品ラインナップは、生産管理や反 ルダー搭載で最高水準の分析 復分析用の自動化ツールから、高度成分研究用フルUHV装置にま 効率を実現します で及びます。 すべての製品は業界標準のUHVコンポーネントを使 用して構築されており、高透過率を誇るハイデン アナリティカル社 製モデルMAXIMシリーズ質量分析計が搭載されています。 ルーチン分析には、モデルIG20ガスイオンソース（Ar or O2）が信頼 性と使いやすさを保証します。WORKSTATIONシリーズは、モデル IG5Cセシウムイオンソースを使用して、電気陰性元素の高感度測 定と情報豊富なMCs⁺検出モードを利用できます。一部の機器には、 スパッタ中性質量分析検出システムも装備されており、マトリックス レベル成分を確実に定量化できます。 質量分解イメージング モデルAutoSIMS モデルCompact SIMS – ルーチン分析、教育、および一般的な実験 室使用向けの経済的な高性能SIMS。 モデルSIMS WORKSTATION – UHV表面分析ツールは、業界標準 の酸素・セシウムイオン源、スパッタ中性粒子質量分析（SNMS）用 の高透過率モデルMAXIM質量分析計、およびトポグラフィー制御用 の酸素フルードソース、これらすべてを搭載しています。業界標準 の分析方式と大型チャンバーの採用により、研究内容によって装置 を容易にカスタマイズが可能です。 モデルCompact SIMS 特徴: 元素、分子、同位体の検出 スタティックSIMS（表面依存）およびダイナミックSIMS （深度プ ロファイリング） ナノメートル深度分解能 化合物イメージング 定量分析 単層から30ミクロン以上の測定深度 モデルSIMS WORKSTATION Mass Spectrometers for Thin Films, Plasma & Surface Engineering | 11

SIMS COMPONENTS Add SIMS Capability SIMS追加機能 チャンバーへの装着が容易で、調整可能なHIDEN ANALYTICAL社のSIMS機器は、既存のチャンバーで使用したり、分析目的に合わせた 特化型システムに利用することができます。ナノメートル単位の精度と、高い物質感度を備えたSIMSは、幅広い分析システムでデポジショ ン結果測定、拡散測定、故障調査、リバースエンジニアリングなどの研究に使用できます。 モデルIG20 ガスイオンソース SNMS - ハードディスクヘッド層構造 SIMS - Siのヒ素注入 モデルIG20 ガスイオンソース – 頑丈なツインフィラメントイオン源で酸素や希ガス等のガ ス分析で信頼性の高い動作をします。一般的な深度プロファイリングと質量分析に理想的 な装置です。 モデルIG5C セシウムイオンソース –電気陰性元素を高感度で検出し、強力なMCs +モード を搭載したイオンソース。 セシウムイオンは、容易に交換可能な熱脱離/表面イオン化源で 生成されています。 モデルIG5C セシウムイオンソース モデルMAXIM質量分析計- 6 mm又は9 mmのトリプルフィルターが利用可能となっており、 平行板エネルギーフィルターは、最高の感度とコンパクトな構造を提供します。 入射開口 部の電子衝撃イオン化装置は、「マトリックス効果」とは関係なく高濃度分子をモニターする ため、スパッタ中性質量分析（SNMS）モードで中性分子を測定するためのベストな立体角 収集を提供します。 モデルEQS 質量分析計 – モデルEQSのスリムな構造は、XPSシステムやFIB顕微鏡などの 既存のツールに簡単に取り付ける事が可能です。 45度のセクター型静電エネルギーアナ ライザは、表面科学研究使用例に優れたエネルギー分解能を提供します。 高圧SIMSにも モデルMAXIM SIMS/SNMS 質量分析計 差動排気を用いて使用することができます。 特徴 イオンソースには、正確なビームカレントとプロファイル測定を実行する為の電子回路 が含まれています（電子抑制ファラデーシステム） 質量分析計は自己調整型で、RGA測定用の内部イオン源を備えています モデルSIMS WORKSTATIONと同じソフトウェアパッケージを使用します モデルEQS SIMS 質量分析計 12 | Mass Spectrometers for Thin Films, Plasma & Surface Engineering

SOFTWARE ソフトウェア SIMS ソフトウェア MASsoft プロフェッショナル 迅速に, 柔軟に, 多くの情報量を処理します。 すべてのHIDEN ANALYTICAL社製質量分析計には、MASsoft プロフェッショナル質量分析計用PC制御ソフトウェアが付属して すべてのHIDEN ANALYTICAL社製SIMS機器は、MASsoftプロ います。MASsoftプロフェッショナルソフトウェアは、初めてのユー フェッショナルとSIMS マッパーソフトウェアを実装し、研究者に柔 ザーにも直感的でマルチレベルに、そしてシンプルな操作を提供 軟な分析機能を提供します。また、日常的な研究タスクにも信頼性 と操作性の高いコンソールを利用することができます。 します。また同時に、真空研究の専門家向けの高度な分析機能 も組み込んでいます。 利用可能なソフトウェア/ファームウェアの SIMS マッパー データ処理機能例は次のとおりです。 マッパーソフトウェアは、データを積算画像イメージとして収集し、後 TTL パルス 出力 の3Dデータ再構築と深度プロファイル処理を実行します。 データス プログラム信号処理 タックの絞り込み処理は、ユーザー定義ロケーションでデータ取得 中、又は取得後に実行できます。内蔵の周期表と質量干渉計算機 分子ビームチョッパーによる自動バックグラウンド減算用のフォ を利用した様々なエクスポートオプションにより、ソフトウェアの利便 アグラウンド/バックグラウンド数値計 性が向上され、また、標準テンプレートをセットアップすることでデー ソフトウェアアプリケーション制御用ソケットインターフェイス タ処理を自動的に実行することができます。 LabVIEWドライバー MCSモード-最小ビン幅毎秒50ナノのマルチチャネルスケー ラーデータ収集モード 終点デジタルレシピによる総合プロセス処理 終点方法テンプレート–幅広いエンドポイントアプリケーションに 対応 SIMS マッパーデータ取得ウィンドウ 質量分解イメージ イオンソースコントローラー 既存の分析処理条件ライブラリを実行することで、イオンソース はイオン衝撃条件をすばやく切り替え、分析の開始と終了を自 動化することができます。 電源は制御ランプレート搭載で自己 監視し、Csソースなどの敏感なコンポーネントを保護します。 トレンド分析ビュー (MID setup) 特徴: テンプレート処理のクイックスタート操作 統計分析とピーク積分 イーサネットリンクを介した複数のRGA操作 ソフトウェア上でのデータコピー/貼り付け機能と自動データエクス ズーム機能を備えたリアルタイムのデータ表示 ポート機能 ブロードマススキャンから特定種を選択し、トレンド分析 自動マスアライメント ビューを行うミックススキャンモード 統合質量スペクトルライブラリ　（NISTﾃﾞｰﾀﾍﾞｰｽﾗｲﾌﾞﾗﾘｵﾌﾟｼｮﾝ） Mass Spectrometers for Thin Films, Plasma & Surface Engineering | 13

HIDEN ANALYTICAL社の四重極質量分析計システムは、 a様 b々roなad用 a途ppでlic利at用ionさ れranてgいe iまn:す。 ガス分析 反応ガス量の経過測定 触媒分析と熱解析 分子ビーム研究 溶解対象計測プローブ 発酵、環境、生態学的研究 表面分析 UHV TPD SIMS イオンビームエッチングの終点検出 元素イメージング – 3D マッピング Hiden Analytical Ltd. 420 Europa Boulevard Warrington WA5 7UN England プラズマ分析 T +44 [0] 1925 445 225 F +44 [0] 1925 416 518 プラズマ因子の特性、イオンエネルギーの解析 E info@hiden.co.uk エッチングと堆積プロセスダイナミクス研究 W analysis of neutral and radical species www.HidenAnalytical.com 中性種とラジカル種の分析 真空分析 プロセスガスの分圧測定と制御 スパッタリング反応制御 真空残留ガス分析 真空コーティング行程観察 イノベーションサイエンス株式会社 〒213-0012 神奈川県川崎市高津区坂戸3-2-1 KSP東棟 210 TEL: (044)982-3152 FAX: (044)982-3153 Email: info@innovation-science.co.jp Web: http://www.innovation-science.co.jp/ TECHNICAL DATA SHEET 184/6JP