RF製品（減衰器・スイッチ・増幅器）　総合カタログ

Page 1:IDTのRF製品IDT | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY RF PRODUCTS FAMILY OVERVIEW 1製品カテゴリ• デジタルステップ減衰器（DSA）• 可変電圧減衰器（VVA）• RF スイッチ• シングル/デュアルチャネル広帯域ミキサー• シングル／デュアル可変ゲイン増幅器（VGA）• アンプ• 広帯域変調器• DSA、RF スイッチ、LO スイッチ一体型 復調器機能• 高度に差別化された RF 製品• 他に例を見ない技術的イノベーション­ - 優れた RF 性能を実現• シリコン半導体技術が以下を可能にします­ - 堅牢な信頼性と製造性­ - ソリューションコスト全体を低減• RF ソリューション - 低消費電力でより優れたグリーンネット ワークを実現 - 幅広いプラットフォームでスケーラブル に利用可能 - データのスループットを向上アプリケーション携帯電話基地局• ベーストランシーバ基地局• 分散型のアンテナシステムおよび中継器• ポイント・ツー・ポイント・マイクロウェーブ （マイクロウェーブ、RF/IF）試験および測定• スマートフォン通信テスター• シグナル発振器、スペクトラムアナライザ• 自動試験装置（ATE）産業用• 軍事／戦術通信システム• レーダー• 車載広帯域CATV• ヘッドエンド（CMTS）、エッジQAM• 分散ノード• E/GPON、FTTH 光ネットワーク• ファイバ中継器• ケーブルモデム、セットトップボックス、DVR/PVR• DOCSIS 3.1• 衛星受信機およびモデム　IDTのRF製品は、混雑を増す無線スペクトラムからの不要な干渉に対処する、クラス最高の製品です。今日の高いデータレートでは、より優れた無線信号対雑音比が必要となるため、IDTの高い線形性を持つRFコンポーネントの要求が高まっています。IDT独自の特許取得済みRFソリューションは、最小の消費電力でグリーンネットワークを実現し、今後の企業の成長を促進させる役割を担っています。　IDTのRFデバイスはすべてシリコンベースで、ガリウム砒素（GaAs）ベースのデバイスに比べ、他にはない優位な点があります。高度な集積が可能で、RF性能を損なうことなく、ソリューションコストの削減を実現します。また、外部からのマッチングを必要とし、二次的なアバランシェによる遅延の恐れがあるGaAsデバイスに比べ、シリコンは優れた感湿性、静電放電保護をもたらすため、より堅牢で信頼性の高い技術を実現します。　IDTのシリコンベースのソリューションは、4G携帯電話基地局、通信システム、マイクロウェーブ（RF/IF）、CATV、試験・測定機器、工業用など幅広いアプリケーションの進化していくニーズに対応しています。IDTの製品は、IDT社独自の技術をコンパクトなパッケージに集約することで優れたRF性能をお届けします。

Page 2:® IDTのRF製品IDT | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY RF PRODUCTS FAMILY OVERVIEWOV_RFPRODS_REVC_0516_J2IDTのRF製品および特許技術の詳細、サンプルのリクエストについてはidt.com/go/rfをご覧くださいIDT,theIDTLogo,FlatNoise,Glitch-FreeandZero-DistortionareregisteredtrademarksortrademarksofIntegratedDeviceTechnology,Inc.,intheUnitedStatesandothercountries.Allothertrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.©2016.IntegratedDeviceTechnology,Inc.AllRightsReserved.IDTデバイスは、一般的なDSAが最上位ビットの減衰の遷移状態の最中に発生するトランジェントオーバーシュートを実質的に排除するため、増幅器の損傷、ADCの情報損失を回避することができます。IDTデバイスは下記の黄色部で示すように、ノイズフロアやIM3変調歪を削減しSNRを改善します。それによりサービス品質が向上し、未活用のスペクトラムが解放されるため、混雑したスペクトラム環境では重要なポイントとなります。GLITCH-FREE™ZERO-DISTORTION™IDT RF デジタルステップ減衰器および RF 可変ゲイン増幅器IDT RFミキサーおよびIF 可変ゲイン増幅器Zero-Distortion™Zero-DistortionIDTRx StandardRxK|z|はRFポート間のスイッチングの際、より高いRFポートのリターン損失を防ぎ、ほぼ一定のインピーダンスを維持します。K|z|のない標準のスイッチは、切り替え時にスイッチのインピーダンスが十分に制御されないため、RF経路を切り替えるときに大きなVSWR（電圧定在波比）、過渡信号が発生します。スイッチング処理中にインピーダンスを制御することで、ダウンストリームのコンポーネントのVSWR過渡信号が最小化され、スイッチの信頼性が向上し、電圧ストレスが低減され、システム全体の性能を向上させます。K ZConstantImpedanceF1950Glitch-FreeTMDSAvsCompetitorStandardDSAGlitch-FreeTM0.00-1.00-2.00-3.00-4.00-5.00-6.00-7.00-8.00-9.00-10.00-11.00-12.00-13.00-14.00-50 50 150 250 350 450 550 650 750EnvelopePower(dBm)Competitor’s Standard DSAGlitch ˜ 7 dBSettling Time >>1µsecIDT’s Glitch-FreeTMDSAGlitch < 0.60 dBSettling Time = 350 nsec ( /-0.1 dB)Time (ns)K|Z| コンスタントインピーダンスKLINはゲインが調整されるように、一定の高いリニアリティを維持します。ゲインが減少するに従って、リニアリティ（OIP3）はクリティカルな領域（グラフ参照）で一定に維持されます。これにより、ゲインが減少することによる相互変調歪みを抑制します。ConstantHigh Linearity45403530252015105035 30 25 20 15 10 5 0OPI3(dBm)No KLINWith KLINGain Setting (dB)OIP3KLIN コンスタントリニアリティノイズフィギュアをほぼ一定に保ちつつゲインを減少でき、SNRを高めることにより無線エンジニアの設計上の制約を緩和します。FlatNoise™3632282420161284020 16 12 8 4 0 -4 -8NoiseFigure(dB)NF = 20 dBNF = 6 dBGain Setting (dB)Standard IF VGACompetitorF1240 - FlatNoiseFLATNOISE™