多点基板温度成膜装置　CVD原料輸送実験 材料耐熱試験、腐食試験　総合カタログ

Page 1:We produce CVD precursors truly by our hand.Therefore, we can synthesis almost precursors with difficultacquisition like deuterated MO. Ex) (C2D5)3Ga,As[N(CD3)2]3, (CH3)2N-ND2, Ti[N(CD3)2]4, (i-C3D7)3Sb,t-C4H9GeD3, (CH3)2AlDWe are depositing thin films using precursors synthesized byourselves. Therefore, we can develop precursors with the per-formance suitable for customer needs. We have some type ofCVD equipements.Ex) Hot-wall-CVD, Temperature gradient chamber CVD,LP-CVD and ALD.We are sure that it is important to know the right value ofvapor pressure in operation of ALD. Therefore, we developedthe V.P. measurement machine for air-sensitive precursors.Ex) Direct method for high V.P. precursor, Gas saturatedmethod for low V.P. precursor気相成長株式会社Company overview〒184-0012 東京都小金井市中町２−２４−１６農工大・多摩小金井ベンチャーポート 301 号室TEL : 042-401-1783- - - - - - -Nokodai-Tamakoganei Venture Port 3012-24-16 Naka, Koganei, Tokyo, 184-0012, Japan- - - - - - - 　e-mail: machida@kisoh-seicho.comhttp://www.kisoh-seicho.comClick the element in our web site.Web key word is GPG Ltd！☜Products Catalog会社案内_会社案内 16/11/09 12:10 ページ 1

Page 2:会社概要 About us【社名】気相成長株式会社【本社研究所】〒184-0012 東京都小金井市中町２−２４−１６農工大・多摩小金井ベンチャーポート 301 号室【役員】　　　　代表取締役　　町田 英明取締役　　石川 真人【資本金】　　 ４,５００,０００円【取引先】 Customers東京エレクトロン株式会社(TEL)、株式会社東芝(Toshiba)、キャノン株式会社(Canon)パナソニック株式会社(Panasonic)、大陽日酸株式会社、JX 金属株式会社、東京理科大学豊田工業大学、明治大学、東北大学、物質材料研究機構、東京農工大学、東京大学、他【取得特許】 PatentsPatented:７、Country:４ （2016 年 10 月時点）〔Dielectric:１、Interconnect:４、LED:２〕Filed:10【保有免許等】文部科学大臣認定研究機関、毒劇物製造販売、危険物取扱者（甲）第１種衛生管理者、ガス溶接、高圧ガス製造保安責任者（乙種化学）【参加団体】 Participation OrganizationNPO 科学知総合研究所理事 Science Knowledge Integration Laboratory (SKIL)Advanced Metallization Conference 委員Cat-CVD 研究会委員、　CVD 反応分化会幹事、　応用物理学会 The Japan Society of Applied PhysicsHistory２００８年 ７月 設立　(東京都小金井市に本店登記）　資本金　4,000,000 円　(Established)２００８年１０月 本社研究所入居（農工大・多摩小金井ベンチャーポート）２００９年 ４月 大型放射光施設（Spring-8）にて次世代メモリ材料薄膜の分析２０１０年 １月 資本金　4,500,000 円２０１０年 ７月 NEDO 技術革新事業（太陽光発電） に採択される２０１０年 ７月 文部科学大臣認定研究機関指定を受ける　機関番号９２６２７２０１１年１２月 CVD・Eching・耐熱試験の専用ルーム増設２０１３年１１月 Sr,Ba の低温揮発原料　特許取得　特許第 2717623 号２０１４年 ２月 高純度トリメチルアルミニウムの製造方法　特許登録　特許第 5489155 号 (Patented)２０１４年 ４月 LED 用 Na & Cl free 高純度 RCp2Mg の製造方法　特許登録　特許第 5522670 号 (Patented)２０１５年 ３月 LSI 用(TSV-Cu)低抵抗配線プロセス特許登録 特許第 5734540 号 (Patented)２０１６年１-４月 LSI Co-CVD 特許登録、台湾、中国、米国、日本：特許第号 5916744 号 (Patented)２０１５年 ２月 水素の輸送技術・エネルギー関連特許出願　特願 2016-26381 (Patented)【営業品目】　１．ファインケミカルの研究開発２．ファインケミカル及びその関連部品・関連装置の製作・販売３．ファインケミカルに関するコンサルタント４．化学物質の製造・販売及び分析* 気相成長技術に関するケミカルChemicals of CVD & ALD【保有設備】　 Instruments１．成膜装置 (Hot-wall-CVD x 4, ALD, LPCVD x 2)２．ガスクロマトグラフ (Gas Chromatography)３．蒸気圧測定装置 (Vapor pressure measurement)４．He リークディテクター (He leak detector)５. 超高真空蒸留装置 (Ultra Vacuum Distillation)６. 超臨界流体堆積装置 (Supercritical Fluid Chemi-cal Deposition Equipment)７. 1100℃耐熱試験装置 (Heat-resistant test)Hot-wall CVD ALD会社案内_会社案内 16/11/09 12:10 ページ 2

Page 3:多点基板温度成膜装置の概念図•基板温度•シーケンス（原料供給時間、パージ時間）•成膜圧力 etc..実験条件項目仮に１サイクルを10秒として、1000サイクル成膜すると、成膜時間だけで２時間４７分かかります。 →１プロットのサンプル作製に約３時間以上SOURCE1 SOURCE2PURGE PURGE1 サイクル １０秒ALDプロセス開発の時間短縮に！成膜基礎データ収集に多点基板温度成膜装置をご活用ください。ALDプロセス開発の難所：サンプル作製に時間かかる！原料ガス １ 原料ガス ２様々な基板温度で一度に成膜できれば、工数大幅削減!!そこで（※実際の装置とは異なります）•多点基板温度成膜装置で成膜すると、１回の成膜で10点（例）の基板温度サンプルが作製可能。•成膜実験ごとの条件不安定が無いhttp://www.kisoh-seicho.com/気相成長株式会社〒184-0012 東京都小金井市中町２－２４－１６農工大・多摩小金井ベンチャーポート３０１TEL・FAX：042-401-1783，携帯：090-9342-7073e-mail: machida@kisoh-seicho.com特徴•ALD(CVD)プロセス開発で、原料選択は成否をわける重要なファクターです。•長年プロセス開発のお手伝いをさせていただいた我々にぜひご相談ください。•最適原料の選択（または開発）が可能です （1week）•ローコストな小スケール実験機で委託成膜ALD成膜が行えます。•各種パラメーター振りながら、サンプル作製を行い最適解があるか実験します150℃ 300℃200℃325 ℃175℃ 275℃400℃225℃250℃350℃排気原料交互供給（ALD)

Page 4:•Sub. Temp.: 25oC-1000oC•Sub. Size 20x20 mm•Sub. Temp.: 25oC-500oC•Sub. Size 20x20 mmLow cost, ALD method also availableローコストにCVD成膜データの収集しませんか？成膜実験成膜実験ご予算に応じて、原料供給方法、成膜方法を選択可能です委託成膜実験CVD原料輸送実験CVD原料輸送実験•揮発供給の再現実験•原料供給の経時変化調査（目視、重量）•空気中で不安定な物質の蒸気圧測定•直接法で測定不可能な低蒸気圧物質の測定•バブリング供給による実際の輸送量測定•バブリング供給による変化の目視観察等http://www.kisoh-seicho.com/ 気相成長株式会社〒184-0012 東京都小金井市中町２－２４－１６農工大・多摩小金井ベンチャーポート３０１TEL・FAX：042-401-1783，携帯：090-9342-7073e-mail: machida@kisoh-seicho.com原料輸送特性、安定性の心配はございませんか？

Page 5:材料耐熱試験、腐食試験のご案内データ収集に弊社高温処理装置をご活用ください。高温下〈MAX1100℃以下）における塩素、塩化水素、水素、酸素、アンモニアガス等による材料腐食試験を受託しております被検体サイズ目安20 x 20 X 120 mm(最大）腐食性ガス等Cl2HClH2NH3….等電気炉 MAX 1100℃反応管NH3….等http://www.kisoh-seicho.com/気相成長株式会社〒184-0012 東京都小金井市中町２－２４－１６農工大・多摩小金井ベンチャーポート３０１TEL・FAX：042-401-1783，携帯：090-9342-7073e-mail: machida@kisoh-seicho.com