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高周波アンテナの電子部品を静電気から保護する超低容量TVSダイオードを紹介します。
IoT機器等の電子機器において静電気に弱い半導体などの電子部品を保護する事が重要ですが、高周波アンテナ部での不適切な保護素子の使用は信号を歪ませ、信号品質の劣化の原因となりえます。
DF2B6M4BSLは端子間容量を最大0.15pFとした超低容量TVSダイオードです。また高調波歪が小さいためWi-Fi®,などの大きな電力を送信する通信規格に対しても最適です。
高周波アンテナには、保護素子としてESDサプレッサーが使用されるケースがありますが、本製品はより対象にかかる電圧を低減できることから静電気対策に貢献します。
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このカタログについて
ドキュメント名 | 高周波アンテナ回路用 超低容量TVSダイオード |
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ドキュメント種別 | 製品カタログ |
ファイルサイズ | 650.9Kb |
登録カテゴリ | |
取り扱い企業 | マウザー・エレクトロニクス (この企業の取り扱いカタログ一覧) |
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このカタログの内容
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Web 新着情報
高周波アンテナ回路用 低容量で低高調波歪を特長としたアンテナ保護用TVSダイオード
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超低容量TVSダイオード
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●高周波アンテナの電子部品を静電気から保護する超低容量TVSダイオードを紹介します。
IoT機器等の電子機器において静電気に弱い半導体などの電子部品を保護する事が重要ですが、高周波ア
ンテナ部での不適切な保護素子の使用は信号を歪ませ、信号品質の劣化の原因となりえます。
DF2B6M4BSLは端子間容量を最大0.15pFとした超低容量TVSダイオードです。また高調波歪が小さいため
Wi-Fi®,などの大きな電力を送信する通信規格に対しても最適です。高周波アンテナには、保護素子として SOD-962(SL2)
ESDサプレッサーが使用されるケースがありますが、本製品はより対象にかかる電圧を低減できることから静電気 0.62x0.32mm
対策に貢献します。
参考データ
® 高調波歪特性 ESDクランプ波形 参考データ
アンテナ用途向け(Wi-Fi , Bluetooth®) 周波数条件: 5GHz @IEC61000-4-2 (Contact), +8kV
低端子間容量: Ct = 0.12pF (typ.) 350V
低高調波歪特性: -55.5dBm
@20dBm, 5GHz入力, 3次高調波 210V
低容量TVSダイオード
DF2B6M4BSL
ラインアップ
他社ESDサプレッサ
C @0V 3rd HD R
VRWM t V V (V) DYN
製品名 max (pF) ESD C
注1 (dBm) typ.
typ.
@20dBm, (Ω)
(V) typ Max (kV) @ITLP=8A
5GHz
NEW! DF2B6M4BSL 5.5 0.12 0.15 ±8 16.5 -55.5 1.05
DF2B6M4ASL 5.5 0.15 0.2 ±15 15 -50.5 0.7
※Wi-Fiは、Wi-Fi Allianceの登録商標です。 ※その他の社名・商品名・サービス名などは、それぞれ
*注1:@IEC61000-4-2 (接触放電) Bluetooth®は、Bluetooth SIG, Inc.の登録商標です。 各社が商標として使用している場合があります。