業界最高水準の低オン抵抗を実現、機器の低損失化・小型化に貢献
微細トレンチ加工技術を駆使し業界最高水準の低オン抵抗を実現
◆ゲートしきい値電圧を2.5V～3.5V設定とし、VGS=6V条件でのオン抵抗を保証
◆オン抵抗の温度係数も改善し、機器の低損失化・小型化に貢献
◆オン抵抗温度特性：約1.7倍 ＠Ta=25℃ vs 175℃比
◆第10世代のフィールドプレート構造採用により低ノイズ特性を実現
◆帰還容量と入力容量の比率を低く抑え、セルフターンオンを抑制
◆応用機器
148Vバッテリー車用モータ、高圧バッテリー用電源、産業機器等
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このカタログについて
| ドキュメント名 | 車載UMOS X(100V) MOSFET XK1R9F10QB |
|---|---|
| ドキュメント種別 | 製品カタログ |
| ファイルサイズ | 1Mb |
| 登録カテゴリ | |
| 取り扱い企業 | マウザー・エレクトロニクス (この企業の取り扱いカタログ一覧) |
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このカタログの内容
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XK1R9F10QB 車載UMOS X(100V) MOSFET
業界最高水準(※)の低オン抵抗を実現、機器の低損失化・小型化に貢献
(※当社調べ (21年5月時点)
微細トレンチ加工技術を駆使し業界最高水準(*)の低オン抵抗を実現 (※当社調べ (21年5月時点)
ゲートしきい値電圧を2.5V～3.5V設定とし、VGS=6V条件でのオン抵抗を保証
オン抵抗の温度係数も改善し、機器の低損失化・小型化に貢献
オン抵抗特性：RDS(ON)=1.6mΩtyp..＠VGS=10V,Ts=25℃,TO-220SM(W) *D2PAK相当品
オン抵抗温度特性：約1.7倍 ＠Ta=25℃ vs 175℃比
第10世代のフィールドプレート構造採用により低ノイズ特性を実現
帰還容量と入力容量の比率を低く抑え、セルフターンオンを抑制
応用機器
48Vバッテリー車用モータ、高圧バッテリー用電源、産業機器等
ドレイン・ソース間オン抵抗の低減 注：当社調べ
B
スイッチングノイズの低減 注：当社調べ
Line-up XK1R9F10QB
ID(A) 160
RDS(ON)(mΩ) 1.6
*Under development
**typ. @VGS=10 V、Ta=25℃
TO-220SM(W)