産業機器・大容量電源向け1200V SiC MOSFET

産業機器・大容量電源向け1200V SiC MOSFET 高速スイッチングや低オン抵抗を実現、電力損失の大幅低減、機器の小型化に貢献  SiC MOSFETの信頼性を向上させる当社第２世代チップデザイン[注１]を採用  低入力容量： Ciss=1680pF(typ.)  低ゲート入力電荷量: Qg=67nC(typ.)  低ドレイン・ソース間オン抵抗: RDS(ON)=70mΩ(typ.)  ゲートしきい値電圧を4.2V～5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)を低減  順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵し、電力損失を低減  応用機器  産業機器等の高出力・高効率大容量AC-DCコンバーター  太陽光インバーター  UPS等の大容量双方向DC-DCコンバーター [注１] 当社ニュースリリース「SiC MOSFETの信頼性を向上させるデバイス構造を開発」(2020年7月30日) ゲート・ソース間電圧とゲートしきい値電圧規格幅の比較 スパイク電圧へのマージンが 大きく、ゲートしきい値電圧の ばらつき小さいため、制御しや すい。 SiC MOSFETと Si IGBTのスイッチング損失比較 ターンオン損失 ターンオフ損失 低スイッチング 損失のため高速 動作が可能 設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報および本製品が使用される機器の取扱説明書などをご確認の上、これに従ってください。