豊港　製品カタログ

Product Catalog 製品カタログ

各種材料販売 販売実績 • SiCウェーハ • SiCインゴット • GaNウェーハ • シリコンウェーハ • 2"、3"、4"、5"、6"、8"、12" • P/N型、CZ/FZ ベアウェーハ • シリコンインゴット • シリコンプレート • シリコンリング • シリコンシリンダー • ダミーウェーハ • パーティクル管理品 • サファイアウェーハ • 大口径ウェハー(450mm) 詳細スペック、数量、その他品目等につきましてもご相談ください。 01

SiCウェーハ販売 当社は海外メーカーと契約し、安価で高品質なSiCウェーハを日本の顧客に販売いたします。 SiCウェーハーはパワーデバイス用として今後の使用増加が期待されています。 4インチ、6インチと8インチに加え5mm角から30mm角基板も扱っております。 SiCウェーハ製品 インチ タイプ オフ角度 ※ グレード マイクロパイプ数 ※ 厚さ 表面加工仕上げ プライム ≤0.2cm-2 Si面：CMP仕上げ 4H-N 4°±0.5° プロダクション 350±25μm C面：光学鏡面仕上げ(ミラー) ダミー ≤10cm-2 4インチ プライム ≤1cm-2 Si面：CMP仕上げ 4H-半絶縁性 0°±0.2° プロダクション ≤5cm-2 500±25um C面：光学鏡面仕上げ(ミラー) ダミー ≤10cm-2 プライム ≤0.2cm-2 Si面：CMP仕上げ 4H-N 4°±0.5° プロダクション 350±25μm C面：光学鏡面仕上げ(ミラー) ダミー ≤10cm-2 6インチ プライム ≤1cm-2 Si面：CMP仕上げ 4H-半絶縁性 0°±0.2° プロダクション ≤5cm-2 500±25um C面：光学鏡面仕上げ(ミラー) ダミー ≤10cm-2 プライム ≤2cm-2 Si面：CMP仕上げ 8インチ 4H-N 4°±0.5° プロダクション ≤10cm-2 500±25um C面：光学鏡面仕上げ(ミラー） ダミー ≤50cm-2 タイプ オフ角度 グレード マイクロパイプ数 厚さ 表面加工仕上げ 4インチ 4H-N 400±25μm アズスライス品 1次･2次オリフラ有り。 （INGOT切り出し状態。 6インチ 4H-N 4°±0.5° ダミー ≤50cm-2 440±30μm 外周円形加工あり） 研削・CMP無し 8インチ 4H-N 590±50μm 02

SiCインゴット販売 SiCインゴット製品 タイプ オフ角度 ※ グレード マイクロパイプ数 ※ 厚さ 表面加工仕上げ 4インチ 4H-N ・10～14.9mm 外周円形加工有り （厚さAタイプ） 1次･2次オリフラ有り ・15～19.9mm SiCインゴット 6インチ 4H-N 4°±0.5° ダミー ≤50cm-2 （厚さBタイプ） ・20~25mm 8インチ 4H-N （厚さCタイプ） 03

GaNウェーハ 当社は海外の単結晶GaN製造会社と契約締結し、日本国内でのウェーハ販売を開始いたしました。 パワーLSI用、高輝度LED用、高性能レーザー用に注目されています。 GaNテンプレート（φ2インチ） 製品型番 GaN-T-C-N-C50 GaN-T-C-P-C50 直径 φ50.8mm　±　0.1mm GaN膜厚 4um。　10～25um 4um 方位面 C面（0001）面　±　0.5° 導電タイプ N型 (Undoped) N型 (Undoped) P型 オリフラ方位。長さ オリフラ方位（1－100）。　オリフラ長さ16±1mm 電気抵抗率(300K) ＜　0.5Ω・cm ＜　0.05Ω・cm ～10Ω・cm 転移欠陥密度 5　×　108　個/cm2以下 基板構造 GaN / サファイアウェーハ（0001）面 有効面積 90％以上 表面仕上げ Ga面︓CMP仕上げ。　N面︓ﾌｧｲﾝｸﾞﾗﾝﾃﾞｨﾝｸﾞ（オプション︓光学鏡面仕上げ） 梱包方法 クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。 GaNテンプレート（φ4インチ） 製品型番 GaN-T-C-N-C100 直径 φ100mm　±　0.1mm GaN膜厚 4um。　10～25um 方位面 C面（0001）面　±　0.5° 導電タイプ N型 (Undoped) オリフラ方位。長さ オリフラ方位（1－100）。　オリフラ長さ30 ± 1mm 電気抵抗率(300K) ＜　0.5Ω・cm 転移欠陥密度 5　×　108　個/cm2以下 基板構造 GaN / サファイアウェーハ（0001）面 有効面積 90％以上 表面仕上げ Ga面︓CMP仕上げ。　N面︓ﾌｧｲﾝｸﾞﾗﾝﾃﾞｨﾝｸﾞ（オプション︓光学鏡面仕上げ） 梱包方法 クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。 04

GaNウェーハ GaNウェーハ（φ2インチ） Free-Standing GaN Substrate 製品型番 GaN-FS-C-N-C50 GaN-FS-C-SI-C50 直径 φ50.8mm ± 0.1mm GaN膜厚 350 ± 25 um 方位面 C面（0001）面 ± 1° 導電タイプ N型 (Undoped) 半-絶縁性 1次オリフラ方位。長さ オリフラ方位（1-100）±0.5°。　オリフラ長さ16 ± 1mm 2次オリフラ方位。長さ オリフラ方位（11-20）±3°。　オリフラ長さ　8 ± 1mm 平坦度TTV 15um以下 反りBOW 20um以下 電気抵抗率(300K) ＜　0.5　Ω・cm ＞　106　Ω・cm 転移欠陥密度 5　×　105　個/cm2以下 有効面積 90％以上 表面仕上げ Ga面︓CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。 N面︓ﾌｧｲﾝｸﾞﾗｳﾝﾄﾞ(非鏡面) 梱包方法 クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。 GaN角基板 製品型番 GaN-FS-C-N-S10*10 サイズ 10mm　×　10.5mm、　±0.2mm 基板厚 350　±　25　um 方位面 C面（0001）面　±　1° 導電タイプ N型 (Undoped) 半-絶縁性 平坦度TTV 15um以下 反りBOW 20um以下 電気抵抗率(300K) ＜　0.5　Ω・cm ＞　106　Ω・cm 転移欠陥密度 5　×　105　個/cm2以下 有効面積 90％以上 表面仕上げ Ga面︓CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。 N面︓ﾌｧｲﾝｸﾞﾗｳﾝﾄﾞ（非鏡面） 梱包方法 クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。 05

GaNウェーハ 非極性GaN角基板（A面＆M面） 製品型番 GaN-FS-A-N-S GaN-FS-M-N-S サイズ（例1） 5mm　×　10mm、　±0.2mm サイズ（例2） 5mm　×　20mm、　±0.2mm 基板厚 350　±　25　um 方位面 A面（1120）面　±　1° M面（1-100）面　±　1° 導電タイプ N型 (Undoped) 半-絶縁性 1次オリフラ方位。長さ オリフラ方位（1-100）± 0.5°。　オリフラ長さ16 ± 1mm 平坦度TTV 15um以下 反りBOW 20um以下 電気抵抗率(300K) ＜　0.5　Ω・cm ＞　106　Ω・cm 転移欠陥密度 5　×　105　個/cm2以下 有効面積 90％以上 表面仕上げ Ga面︓CMP仕上げ。Ra <0.2nm。エピレディ仕上げ。 N面︓ﾌｧｲﾝｸﾞﾗｳﾝﾄﾞ（非鏡面） 梱包方法 クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。 AlNテンプレート（φ2インチ） 製品型番 AlN-T-C-S-C50 直径 φ50.8mm　±　0.1mm GaN膜厚 標準仕様︓4um オプション︓10nm　～　5000nm(5um) 方位面 C面（0001）面　±　1° 導電タイプ 半絶縁性 オリフラ方位。長さ オリフラ方位（1－100）。　オリフラ長さ16±1mm 基板構造 AlN / サファイアウェーハ(またはSiCウェーハ、GaNウェーハ) 有効面積 80％以上 表面仕上げ Al面︓CMP仕上げ。 N面︓標準仕様はﾌｧｲﾝｸﾞﾗﾝﾃﾞｨﾝｸﾞ仕上げ（オプション︓光学鏡面仕上げ） 結晶半値幅 XRD半値幅(0002)面　︓　＜ 500 arcsec. （微少欠陥数程度） XRD半値幅(10-12)面　︓　＜ 1500 arcsec. 梱包方法 クリーンルーム内にて窒素封入。1枚ごと梱包、又は25枚カセット。 06

シリコンウェーハ 一般には薄い板状のものの総称。半導体関係では、半導体素子の基板 となるSiなどの単結晶を薄い板状にしたものをSiウェーハなどという。Siウェー ハは現在、200mm（8インチ）が主流であり、300mm（12インチ）ウ ェーハの使用も開始された。 2インチ－12インチまでの半導体用基板として使用されるシリコンウェーハを お客様のご利用用途やご要望に合わせてご提供いたします。 大手メーカー製品の充実の製品で、数多くのメーカー様や大学・研究所 様のご利用目的やプランニングに最適なウェーハをご提供させて頂きます。 ご要望に合わせた確かな品質のウェーハの供給を実現いたします。 項目 単位 仕様 サイズ inch 2 3 4 5 6 8 12 厚み μm 280±25 380±25 525±25 625±25 625±25 725±25 775±25 製法 - CZ or FZ 結晶軸 - <100> or <111>or不問 タイプ - P/N/不問 抵抗値 Ω・cm 0.01～1,000Ω・cm 表面仕上 - 両面/片面ミラー 裏面仕上 - 両面/片面ミラー 梱包形態 - ラミネート/コインロール シリコンインゴット 製品説明 CZ法（チョクラルスキー法）と呼ばれる製造方法によりシリコン ウェーハの材料となる単結晶インゴットを製造しています。 主にデバイス製造工程の一つであるエッチングプロセスに使われ、 極めて重要な消耗材料です。弊社がお客様の要求に応じて、各種 のサイズと抵抗率のシリコンインゴット製品を提供できます。 • 直径︓φ200-φ550mm • タイプ︓P/N • 結晶方位︓<100>/<111> • 純度︓10～11N • 抵抗値（Ω.cm）︓≤0.01～100 • 長さ︓オーダーメイド 07

エッチング用シリコン材料（φ250-φ600mm） 高品質な単結晶・多結晶シリコンインゴットをはじめ、半導 体製造装置向けの最先端のパーツ加工品を供給していま す。 単結晶シリコン材料 P型<100>/<111> 直径 φ250mm-φ600mm 抵抗率 ohm.cm Res︓0.001-0.02、1-5、 60-90 多結晶シリコン材料 サイズ 長さ＝1000ｍｍ、幅＝1000ｍｍ、高さ＝300mm 抵抗率 ohm.cm Res︓0.001-0.02、1-5 大口径シリコン製造の技術的な強み 一般メーカーの製造状況 弊社の技術的な強み独自の 品質優勝の表現 複合加熱システムの開発︕ 単結晶純度8N以上 溶液温度の変動が大きい 溶液温度の変動が大きい 縦方向抵抗率変化縮小 炉内対流強烈､酸素濃度の制 炉内対流強烈､酸素濃度の制 横方向抵抗率均一性向上 御が難しく、転位欠陥密度大 御が難しく、転位欠陥密度大 気孔欠陥約90%減少 普通の単結晶は加熱処理後､ 普通の単結晶は加熱処理後､ 結晶格子欠陥大幅に減少 ライフタイムが大幅に减少 ライフタイムが大幅に减少 08

ダミーウェーハ ダミーウェーハの特徴 ダミーウェーハとは 実験やテストで使用することが多い為、サイズや厚みも様々です。再生ウェーハ ダミーウェーハとは、テストウェーハとも呼ばれ、製品ウェーハと異なり、主に機器の実 を用いる場合もあります。 験や検査に用いられるウェーハのことです。製造装置の稼働テスト、搬送テストやメ また、パーティクル管理されたシリコンウェーハ製品と比べると安価であり、小ロット カニカル評価（切る、削る、磨く等）などに幅広く使用されます。 での出荷にも対応できるのがダミーウェーハの特徴です。 製造装置ではプロセスの安定性を上げるため最初の数枚ダミーウェーハを投入し たり、製造プロセスの最適化とモニタリングに用います。ダミーウェーハはデバイス製 造には向きませんが、モニタリングやテストには十分適しており、新品のウェーハの 代わりに多く利用されています。 ダミーウェーハはウェーハ製造のあらゆる工程におけるテスト、調整で重要な働き をするウェーハなのです。 豊港化学の強み 豊富な取り扱い製品 多品種のシリコンウェーハを豊富に取り揃えております 小ロット対応可能 お客様の要望を丁寧に細かく対応致します 短納期 豊富な在庫により短納期を実現しております 弊社では、丁寧なヒアリングを行いお客様のニーズにあった最適なウェーハをご提案 柔軟な対応 させていただきます。 在庫ウェーハでカバーできない規格もインゴットから加工対応 カセットケース入り、コインロールケース入りなどご希望に合わせた形態で発送いたし ます。 タイプや厚みを不問としさらにコストを抑えるウェーハの販売も可能です。 項目 規格 サイズ(inc) 2 3 4 5 6 8 12 製造方法 CZ / FZ タイプ P型　/　N型　/　不問 結晶方位 ＜100＞ / ＜111＞ / ＜110＞ / 不問 ノッチ/オリフラ方位 ＜100＞ / ＜111＞ / ＜211＞ / 不問 厚み(μm) 280 380 525 625 625/675 725 775 厚み公差(μm) 20 20 25 25 25 25 25 比抵抗(Ω・cm) 0.005～　/　不問 オリフラorノッチ オリフラ オリフラ オリフラ オリフラ ノッチorオリフラ ノッチorオリフラ ノッチ 面仕上げ 片面ミラー(MP/ET) /　両面エッチド(ET/ET) 両面ミラー(MP/MP) パーティクル 不問 数量 1枚からご注文承ります。 梱包形態 コインロール / カセットケース 備考 6インチのオリフラ規格は、JEITA,SEMIどちらも対応可能です。 09

パーティクル管理品 各サイズのパーティクル管理品を取り揃えております。 スペック等ご要望に応じてご提供させて頂きます。 項目 規格 成長法/Growth Method CZ サイズ/Inch 5” 6” 8” 12” 厚み/Thickness 625±25um 625±25um 675±25um 725±25um 775±25um 結晶方位/ Crystal orientation ＜100＞ / ＜111＞ / ＜110＞ / 不問 ノッチ・オリフラ方位/ Notch orientation ＜100＞ / ＜111＞ / ＜211＞ / 不問 表面/Front side MP MP MP MP 裏面/Back side ET ET ET MP タイプ・ドーパント/Type・Dopant P型 / N型 抵抗値/Resistivity 1-100ohm-cm オリフラorノッチ/Orientation flat or Notch オリフラ オリフラorノッチ オリフラorノッチ ノッチ パーティクル/Particle 0.037≦50 ～ 0.3um≦10 表面金属(atoms/㎠) Fe,Cr,Ni,Cu,Zn,K,Na,Ca,Al　≦1E10　or　≦5E10 数量(atoms/㎠) 25枚/ケース 梱包形態 アルミパック　シュリンク 1. ご指定の抵抗値はお問い合わせ下さい。 備考 2. パーティクル　ご指定のパーティクルはお問い合わせ下さい。 3. 表面金属汚染（ライン保証のご指定はお問い合わせ下さい。 4. その他ご要望がございましたらお気軽にお問合せ下さい。 10

ポリシリコン 販売実績 • セミグレード 11Nポリシリコン • ソーラーグレード 6N ポリシリコン ITEM Unit Specification Type - N Resistivity - ≧1,000 Life Time μsec ≧1,000 Donors P ppba ≦0.16 As ppba ≦0.04 Acceptors B ppba ≦0.03 Al ppba ≦0.05 Carbon c ppma ≦0.15 Fe ppbw ≦2.0 Ni ppbw ≦0.5 Bulk Metals Cr ppbw ≦0.5 Surface Metals Cu ppbw ≦1.0 Za ppbw ≦2.0 Zn ppbw ≦1.0 11

ワイドギャップ半導体材料研磨 材質 特色 SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム）、 高平坦性と重金属フリー洗浄 サファイア　ウェーハ等 • 基板研磨 • エピ成長ウェーハ裏面研磨 仕様 • パターン付きウェーハ研磨 （面取+裏面研磨+重金属フリー洗浄） 2、3、4及び6インチウェーハ • 使用済みウェーハ再生研磨 • SBIR ≦ 1μm • 面取り及びレーザーマーキング • GBIR ≦ 2μm • Ra ≦ 0.1nm以下 品質 最先端検査装置による品質保証 • Candela • NIDEK • AFM • TXRF • Edge　Profiler 研磨（ラップ・ポリッシュ）装置 化合物半導体ウェーハ研磨 材質 特色 GaP、GaAs、InP等の基板ウェーハ、エピ成長ウェーハ、 • 極薄仕上げ パターン付きウェーハ • 不定形ウェーハ対応 仕様 2、3、4、6インチ定形及び不定形ウェーハ • 超極薄仕上げ可能（50μmレベルまで） • 基板研磨はエピレディレベルの表面品質 品質 最先端検査装置による品質保証 • Candela • NIDEK • AFM 研磨（ラップ・ポリッシュ）装置 12

http://toyokou.jp