技術シリコンウエハー基板 総合データシート

技術シリコンウエハー基板 総合データシート ver1.1 05 02 2021 IceMOS Technology Limited sales@icemostech.com 5 Hannahstown Hill, www.jp.icemostech.com Belfast, BT17 0LT “Cooler than Cool”TM +44 2890 574700

https://www.jp.icemostech.com 目次 １．SOI = Silicon on Insulator P3,4 ２．SiSi = Silicon Silcon bonded P5,6 ３．DSOI= Double SOI P7,8 ４．DSP=Double Sided Polished P9,10 ５．CSOI=Cavity SOI P11,12 ６．Thin SOI P13,14 ７．TSOI=Trench SOI P15,16 ８．TSV=Through-Silicon Vias P17,18 ９. ファウンドリーサービス P19,20

https://www.jp.icemostech.com SOI Solutions 【アプリケーション】 アイスモス・テクノロジーはICやMEMS応用な カスタマイズされた SOI ソリューシ ど広い範囲に適用される100−200㎜の厚膜SOI ョンは以下のような分野でつかわれ （Silicon-On-Insulator）ウエハーのリーディング ております。: サプライヤーです。 20年以上のSOI製造の経験で、広い分野の市場に •高度なプレッシャーセンサー 対応できる仕様のスペックのウエハーをご提供 •加速度計 いたします。 •ジャイロスコープ 様々なSOI基板の経験を通して、高いスキルをも •マイクロ流体力学/フローセンサー つアプリケーションエンジニアチームが、要求 •RF MEMS 事項に応じてパラメーターのお見積りの選択を •光マイクロマシーン/光 MEMs お手伝いいたし、完璧なカスタムSOIのソリュー ションとして提供いたします •光エレクトロニクス 6シグマの統計学的管理手法に基づくプロセス管 •スマートパワー 理で常に継続的改善を進めながら、アイスモス •最先端 Analog IC技術 は世界クラスの製品品質を提供いたします。十 •マイクロフォン 分に競争できるコストと柔軟な対応で、アイス •高級腕時計 モスは御社のSOIの理想的なパートナーであり続 けます。 【最終市場】 •テレコミニケーション •医療 •自動車 •コンシューマー •楽器 SOI ウエハー <1.5mm エッジテラス構造 デバイス 酸化膜 酸化膜 ハンドル ハンドル ハンドル SOI

https://www.jp.icemostech.com SOI Specification パラメーター 仕様 範囲 ウエハー直径 100, 125, 150 mm 200 mm ハンドル層 仕様 ハンドル層 厚さ 200–1100 µm 450-1100 µm ハンドル層 厚さ 公差範囲 ±5 µm 重ね 厚さ 範囲 280–1150 µm ドーパントタイプ N または P ドーピング N type: Phos, Red Phos, Sb & As P type: Boron 抵抗率 ≤0.001 – ≥10000 Ω-cm シリコン成⾧方法 CZ, MCZ or FZ 結晶方位 <100>, <111> or <110> 裏面処理 ラップ仕上げ/エッチングまたはポリッシュ磨きによ る 埋め込み酸化膜 仕様 熱酸化膜、埋め込み酸化膜厚さ 0.2 – 4.0 µm ハンドル、デバイスまたは両方に成⾧ デバイス層の仕様 デバイス層膜厚 ≥1.5 µm ≥5 µm デバイス 厚さ 公差範囲 ± 0.5 µm ±0.8 µm ドーパントタイプ N or P ドーピング N type: Phos, Red Phos, Sb & As P type: Boron 抵抗率 ≤0.001 – ≥10000 Ω-cm シリコン成⾧方法 CZ, MCZ or FZ 結晶方位 <100>, <111> or <110> 埋め込み層のインプラ N type または P type 上記は標準の仕様ですが、特定の仕様のソリューションについて、喜んでお客様のご要望を検討させて頂きます。 他のスペックなどお問合せなどがありましたら、セールスチームへコンタクトして下さい: sales@icemostech.com

https://www.jp.icemostech.com SiSi Solutions アイスモスの SiSi 張り合わせプロセスは、リー クが小さく、高品質で、ワープも小さく、低い 欠陥密度となります。層の厚みのばらつきも+/- 0.5um以下に抑える事ができます。高濃度から低 濃度の遷移レベルもお客様のアプリケーション 【アプリケーション】 に応じて鋭く、もしくはソフトなどに調整がで •高耐圧 PIN ダイオード きます。 •RF 減衰器 半導体デバイスを製造するお客様には、アイス •光検出器 モスのSilicon -Silicon張り合わせウエハーを従来 •X線検出器 の厚エピや反転エピなど、パワーデバイスやPiN •IR 赤外線センサー ダイオード用に従来つかわれていたような材料 •高耐圧パワーデバイス にとって代わる、費用対効果が高い材料として •エピ材からの置き換え 提供いたします。直接ウエハーをボンディング する技術を使うと、様々な単結晶シリコンを含 【主な特徴】 むシリコン基板を作ることができます。これら •高い品質 の抵抗レンジは1mΩ-cm から 10kΩ-cmとなりま •低コスト す。Nタイプや Pタイプの素材でオリエンテーシ •低い欠陥密度 ョン方向のアレンジもできますので、この特徴 •膜の均一性がよい はエピウエハーでは成しえないものです。 •マルチレイヤ― •鋭い濃度遷移レベル •10k-cmまでの抵抗率 •界面品質がよい– 高解像サム検査による デバイス ハンドル シリコン―シリコン張り合わせ

https://www.jp.icemostech.com この図はSilicon Siliconボンディングが エピ材と比べ、電気デバイス用のス タート材としてどのくらいコストア ドバンテージがあるかを示します。 SiSiウエハーがパフォーマンスやコス ト削減においてアドバンテージオプ ションと考えられます。 SiSi Specification パラメーター 仕様 範囲 ウエハー直径 100, 125, 150 mm 200 mm ハンドル層 仕様 ハンドル層 厚さ 200–1100 µm 450-1100 µm ハンドル層 厚さ 公差範囲 ±5 µm 重ね 厚さ 範囲 280–1150 µm ドーパントタイプ N または P ドーピング N type: Phos, Red Phos, Sb & As P type: Boron 抵抗率 ≤0.001 – ≥10000 Ω-cm シリコン成⾧方法 CZ, MCZ or FZ 結晶方位 <100>, <111> or <110> 裏面処理 ラップ仕上げ/エッチングまたはポリッシュ磨きによ る デバイス層の仕様 デバイス層膜厚 ≥20 µm ≥20 µm デバイス 厚さ 公差範囲 ± 0.5 µm ±0.8 µm ドーパントタイプ N または P ドーピング N type: Phos, Red Phos, Sb & As P type: Boron 抵抗率 ≤0.001 – ≥10000 Ω-cm シリコン成⾧方法 CZ, MCZ or FZ 結晶方位 <100>, <111> or <110> 埋め込み層のインプラ N type または P type 上記は標準の仕様ですが、特定の仕様のソリューションについて、喜んでお客様のご要望を検討させて頂きます。 他のスペックなどお問合せなどがありましたら、セールスチームへコンタクトして下さい: sales@icemostech.com

https://www.jp.icemostech.com DSOI Solutions 【アプリケーション】 アイスモス・テクノロジーはDSOIのリーディング アイスモスのカスタマイズされた ダブ サプライヤーです。DSOIはICやMEMS用に幅広く ル SOI (DSOI) は以下のような分野で使 つかわれております。SOI製造の20年以上の経験 われております: をもとに、私たちは幅広い市場で応用できるよう な興味深い仕様範囲の材料で完全なDSOIの解決法 •MEMS/MST向けSOIソリューション をご提供します。 広範囲なSOI経験がありますの •マイクロ流体力学/フローセンサー で、アプリケーションエンジニアがお客様のDSOI •RF MEMS ウエハーをプロセスするのに最適なパラメーター •光マクロマシーン の組み合わせの選択をお手伝いします。 •光エレクトロニクス 自由度の高いアプローチでアイスモスはお客様の •光学 MEMS 実験開発レベルの少量ロットから、量産までご対 応します。MEMSプロセスエンジニアは光学、 慣 【最終市場】 性、生体や他のMEMS分野においても経験があり •テレコミニケーション ます。アイスモスは追加のファウンドリーサービ •医療 スとしてMEMSやトレンチエッチング、隔離構造 •自動車 なども提供いたします。 •家電 6シグマの統計学的管理手法に基づくプロセスに •セキュリティー おいて、常に継続的改善を進めながら、アイスモ スは世界クラスの製品品質と、十分に競争できる コストと常に上昇するための方針を見定めながら 、アイスモスは御社のDSOIの理想的なパートナー であり続けます。 酸化膜デバイス層 DSOI SOI

https://www.jp.icemostech.com DSOI Specification パラメーター 仕様 範囲 ウエハー直径 100, 125, 150 mm 200 mm ハンドル層仕様 ハンドル層 厚さ 200–1100 µm 450-1100 µm ハンドル 厚さ 公差範囲 ±5 µm 重ね厚さ範囲 280–1150 µm ドーパントタイプ N または P ドーピング N type: Phos, Red Phos, Sb & As P type: Boron 抵抗率 ≤0.001 – ≥10000 Ω-cm シリコン成⾧方法 CZ, MCZ or FZ 結晶方位 <100>, <111> or <110> 裏面処理 ラップ仕上げ/エッチングまたはポリッシュ磨きによる 埋め込み酸化膜仕様 熱酸化膜、埋め込み酸化膜厚 0.2 – 4.0 µm 成⾧ ハンドル、デバイスもしくは両ウ エハーによる デバイス層の仕様(第一、第二層) デバイス層 膜厚 ≥1.5 µm ≥5 µm デバイス 厚さ 公差範囲 ± 0.5 µm and ± 1 ±0.8 µm and ± 1.6 µm µm ドーパントタイプ N または P ドーピング N type: Phos, Red Phos, Sb & As P type: Boron 抵抗率 ≤0.001 – ≥10000 Ω-cm シリコン成⾧方法 CZ, MCZ or FZ 結晶方位 <100>, <111> or <110> 埋め込み層のインプラ N タイプ 又はP タイプ 上記は標準の仕様ですが、特定の仕様のソリューションについて、喜んでお客様のご要望を検討させて頂きます。 他のスペックなどお問合せなどがありましたら、セールスチームへコンタクトして下さい: sales@icemostech.com

https://www.jp.icemostech.com DSP Solutions 【アプリケーション】 アイスモスは20年以上の経験をもとに、ワールド クラスのDSP（Double Sided Polished）両面ポリッ 弊社のカスタマイズされたDSPソ シュのソリューションをお届けします。デザイン リューションは以下のような分野で使 や製造において⾧年の経験のある高い技術を持っ われております。: たチームがお客様のご要望に合ったDSPソリュー ションをご提供します。  MEMS/MST分野におけるDSPソ リューション アイスモスのDSP ウエハーは両面にパターン転写  マイクロ流体力学/フローセンサー ができる優れた基板です。アイスモスは製品やプ  RF MEMS ロセスにおける専門知識や経験で厚みや面粗度の  光エレクトロニクス コントロールも可能で、理想的な張り合わせプロ セスへと導きます。さらに標準的でない仕様に関 【最終市場】 してもご検討可能です。  テレコミニケーション 弊社の世界的クラスの製品品質と、コスト競争力  医療 を持ち、柔軟な対応でお客様の理想的なDSPの  自動車 パートナーとなります。  家電  セキュリティー DSP ウエハーは酸化も必要に応じ て対応できます。

https://www.jp.icemostech.com DSP Specification パラメーター 仕様 範囲 ウエハー直径 100, 125, 150mm 200mm ウエハー厚さ 300–1150 µm 450-1150 µm ウエハー厚さ 公差範囲 ±2 µm ±5 µm 厚さの偏差 (TTV) ≤1 µm ≤2 µm Bow ≤40 µm Warp ≤40 µm 粗さ ≤2Å ドーパントタイプ N or P ドーピング N type: Phos, Red Phos, Sb & As P type: Boron 抵抗率 ≤0.001 – ≥10000 Ω-cm シリコン成⾧方法 CZ, MCZ or FZ 結晶方位 <100>, <111> or <110> 熱酸化フィールド酸化膜厚 0.2-4.0 µm 上記は標準の仕様ですが、特定の仕様のソリューションについて、喜んでお客様のご要望を検討させて頂きます。 他のスペックなどお問合せなどがありましたら、セールスチームへコンタクトして下さい: sales@icemostech.com

https://www.jp.icemostech.com CSOI Solutions 【アプリケーション】 アイスモス・テクノロジーは100-150mmのキャビティ アイスモスのカスタマイズされた CSOI ーボンディングSOIウエハーをMEMSの広い分野にお ソリューションは以下のような分野で いて提供するリーディングサプライヤーです。深いシ 使われております: リコンエッチの⾧年の経験を活かし、高度なウエハー •圧力センサー ボンディング技術を提供し、お客様のキャビティー仕 •マイクロフォン 様の材料を革新的な製品への材料として可能にします •慣性 MEMS 。アイスモスのキャビティーボンディング SOIウエ •マイクロ流体デバイス ハーはプレエッチングされたキャビティーをシリコン •共振器 薄膜下に持つ構造となります。これをお客様がさらに 【最終市場】 市場の要求に見合う高度なデバイスへとデザインする •テレコミニケーション ことができます。 •医療 キャビティーボンディングSOIはお客様に以下のよう •自動車 な 利点をもたらします。 •家電 •アイスモスの高度なボンディング技術とその専門知識 •楽器 •解放時の付着問題を減らす •簡潔な製造フロー •低コストな Cavity SOI/Si-Siのソリューション •お客様に必要なアプリケーションに沿った自由度の高 い構造 アイスモスは様々な方法でお客様のキャビティーボン ディングSOIの方法をお客様のキャビティーの要求に 合わせてご提供します。 Cavity-SAMやAuto Visual Inspection検査を必要に応じて含むことができます。 さらに利点を組み込み高度な特徴をキャビティーボン ディングSOIに追加し、可能性を開拓しいままでに考 え付かないようなソリューションとなるでしょう。 埋め込みキャビティー構造 CSOI Process Flow キャビティー ハンドル側の酸化膜付 デバイス層 きキャビティー キャビティーCSOIウエハー Cavity-SAM検査 and AVI 検査が可能です

https://www.jp.icemostech.com CSOI Specification パラメーター 仕様 範囲 ウエハー直径 100, 125, 150 mm ハンドル層の仕様 ハンドル厚さ 200–1100 µm ハンドル厚さ 公差範囲 ±5 µm 重ね厚さ 範囲 280–1150 µm ドーパントタイプ N またはP ドーピング N type: Phos, Red Phos, Sb & As P type: Boron 抵抗率 ≤0.001 – ≥10000 Ω-cm シリコン成⾧方法 CZ, MCZ or FZ 結晶方位 <100>, <111> or <110> 裏面処理 ラップ仕上げ/エッチングまたはポリッシュ磨きによる 埋め込み酸化膜仕様 熱酸化膜、埋め込み酸化膜厚 0.2 – 4.0 µm 成⾧ ハンドル、デバイスもしくは両ウ エハーによる デバイス層の仕様 デバイス層膜厚 ≥1.5 µm デバイス 厚さ 公差範囲 ± 0.5 µm ドーパントタイプ N or P ドーピング N type: Phos, Red Phos, Sb & As P type: Boron 抵抗率 ≤0.001 – ≥10000 Ω-cm シリコン成⾧方法 CZ, MCZ or FZ 結晶方位 <100>, <111> or <110> 埋め込み層のインプラ N type or P type 薄膜 厚さ/SOI 厚さ >2 µm 薄膜 厚さ 公差範囲 +/-0.5 µm キャビティーSPAN（幅）: 薄膜 <50:1 µm (デザインによる) （デバイス） 厚みの比 最小 ボンディングサイズ特徴 20 µm マスクに対するキャビティーのア +/-3 µm ライメント精度 キャビティーの深さ 1-30 µm @ +/-10% 31-300 µm @ +/-20% キャビティー作成箇所 ハンドル, デバイスもしくは埋め込み層 上記は標準の仕様ですが、特定の仕様のソリューションについて、喜んでお客様のご要望を検討させて頂きます。 他のスペックなどお問合せなどがありましたら、セールスチームへコンタクトして下さい: sales@icemostech.com

https://www.jp.icemostech.com Thin-SOI Solutions 【アプリケーション】 アイスモス・テクノロジーは薄膜のSOIウエハ 弊社のカスタマイズされた薄膜SOIのソリュー ーを<1um以下のデバイスレイヤーにて供給い ションは以下の分野につかわれております。: たします。20年以上のSOI製造の経験により、 •RF フィルター アイスモスはRFアプリケーションに使われる •光エレクトロニクス 厚膜SOIと同様の高い品質の製品をご提供でで •画像検出 きます。 •ワイヤレスコネクション シリコンウエハーや熱酸化膜など広い範囲で •フレキシブル・ハイブリッド・エレクトロニ 、アイスモスの薄膜SOIウエハーは光工学表面 クス 弾性波フィルターなどの分野などをカバーで •RF MEMS きます。 6シグマの統計学的管理手法に基づくプロセス 【最終市場】 管理で常に継続的改善を進めながら、アイス •テレコミニケーション モスは世界クラスの製品品質を提供いたしま •一般消費者向け す。十分に競争できるコストと柔軟な対応で •電源 、アイスモスは御社の理想的なパートナーで •医療 あり続けます。 1. インプラ 2. ボンディング 3. クリービング SEM image of IceMOS 245nm Thin-SOI Wafer 4. 熱処理 5. CMP

https://www.jp.icemostech.com Thin-SOI Specification パラメーター 仕様 範囲 ウエハー直径 150 - 200 mm ハンドル層仕様 ドーパントタイプ N または P ドーピング N type: Phos, Sb & As P type: Boron 抵抗率 ≤0.001 – ≥10000 Ω-cm シリコン成⾧方法 CZ, MCZ または FZ 埋め込み酸化膜仕様 熱酸化膜、埋め込み酸化膜厚 0.1um – 2µm 成⾧、デバイス、もしくはハンドルと両 方 埋め込み酸化膜 均一性 ± 5% デバイス層の仕様 デバイス層 膜厚 0.1um – 1um デバイス 厚さ 公差範囲 ± 20nm ドーパントタイプ N または P ドーピング N type: Phos, Sb & As P type: Boron 抵抗率 ≤0.001 – ≥10000 Ω-cm シリコン成⾧方法 CZ, MCZ or FZ 結晶方位 <100>, <111> or <110> 上記は標準の仕様ですが、特定の仕様のソリューションについて、喜んでお客様のご要望を検討させて頂きます。 他のスペックなどお問合せなどがありましたら、セールスチームへコンタクトして下さい: sales@icemostech.com

https://www.jp.icemostech.com Trench SOI アイスモスは一つのチップ上で高耐圧部とコンポー 【アプリケーション】 ネンツを分離するするなどといった誘電体分離技術 •MEMS デバイス を提供します。隔離には厚い膜のSOIと高いアスペ •ソリッドステートリレー光電発電機 クト比の深いトレンチエッチおよび酸化膜とポリの •太陽光発電セルと光電子デバイス・IC 埋め込み構造を使います。この技術には100−150 •テレコム用の高耐圧アナログIC ㎜のウエハーサイズ、デバイスレイヤーは1.5- •高パフォーマンスバイポーラ回路 100umの厚みに適用可能です。 •スマートパワーIC •集積センサー オプション供給できます 【主な特徴】 •隔離マスクによる誘電体分離基板の供給 •完全なデバイス隔離 •アイスモスをファウンドリーとして事前に隔離プ •従来のジャンクション隔離法と比較し ロセスが施された誘電体分離 IC のご提供 著しくダイの縮小化を促進 •Full IC デザインの供給とお客様の回路からの誘電 •従来のDI技術と比べ低い欠陥密度 体分離における製造 •バルクより低い基板キャパシタンス •EPIによるトレンチ隔離より安いコスト 後の隔離技術適用ができます •Simple Bipolar •CMOS (1P, 2M) •BiCMOS (1P, 2M) アイスモスのトレンチ隔離SOI基板は完全に誘電体 をタブ毎に隔離します。 主な利点: •埋め込み層をなくす •エピ層をなくす ジャンクション Icemos DI技術の •P+隔離をなくす 隔離のHVバイ 同じHVバイポーラ ポーラトランジ トランジスタ •寄生キャパシターを最小化 スタ •高品質結晶のシリコン層 •同時になしえるウエハー当たりのダイ収量増加 イラストはHVバイポーラIC トランジスタ と •高耐圧特性能力 ICEMOSのDI技術との比較でシリコン専 有面を3倍抑えていることがわかります。 •カスタマイズされたトレンチパターン 弊社のプロセスエンジニアがお客様のデザイングル ープと密に働き、お客様のプロセスの発展への実現 化につなげます。 トレンチエッチされた トレンチ隔離された SOI Wafer SOI Wafer SOI Wafer

https://www.jp.icemostech.com Trench SOI Specification パラメーター 仕様 範囲 ウエハー直径 100, 125, 150 mm ハンドル層 仕様 ハンドル層 厚さ 350–800 µm ハンドル 厚さ 公差範囲 ±5 µm 重ね厚さ範囲 350–1150 µm ドーパントタイプ N または P ドーピング N type: Phos, Red Phos, Sb & As P type: Boron 抵抗率 ≤0.001 – ≥10000 Ω-cm シリコン成⾧方法 CZ, MCZ または FZ 結晶方位 <100>, <111> or <110> 裏面処理 ラップ仕上げ/エッチングまたはポリッシュ磨きによる 埋め込み酸化膜仕様 熱酸化膜、埋め込み酸化膜厚 0.2 – 4.0 µm成⾧ ハンドル、デバイスもしくは両ウエ ハーによる デバイス層 仕様 デバイス層 膜厚 1.5 - 100 µm デバイス 厚さ 公差範囲 ± 0.5 µm ドーパントタイプ N または P ドーピング N type: Phos, Red Phos, Sb & As P type: Boron 抵抗率 ≤0.001 – ≥10000 Ω-cm シリコン成⾧方法 CZ, MCZ or FZ 結晶方位 <100>, <111> or <110> 埋め込み層インプラ N type または P type トレンチマスクトーン Positive Resist トレンチ マスクタイプ E-beam master for projection aligner トレンチライン幅 > 2um トレンチアスペクト比 15:1 トレンチ横拡散ドーピング Phosphorus トレンチ埋め込み –酸化膜(両側 0.1 – 1.0 µm 面) トレンチ埋め込み―ポリシリコン To Fill (ドープまたはノンドープのポリシリコン) 平坦化 CMP 最終フィールド酸化膜 熱酸化膜 + TEOS 1umまで 上記は標準の仕様ですが、特定の仕様のソリューションについて、喜んでお客様のご要望を検討させて頂きます。 他のスペックなどお問合せなどがありましたら、セールスチームへコンタクトして下さい: sales@icemostech.com

https://www.jp.icemostech.com TSV Solutions 【アプリケーション】 アイスモス・テクノロジーは革新的で、パワフ アイスモスのカスタマイズされたTSV ルにウエハー内部導通技術を開発いたしました のソリューションは以下のような分野 。それらはICやMEMSなどデザインによるパッ につかわれております。: ケージ問題などを解決する手段となります。こ •MEMS/MST向けSOI ソリューション の内部導通ソリューションにより、デザインを •マイクロ流体力学/フローセンサー しやすくし、ソルダーバンプコンタクトなどウ •RF MEMS エハーレベルでのパッケージを容易にする解決 •光エレクトロニクス 法となります。 •スマートパワー アイスモス・テクノロジーのソリューションは •高度なアナログ ICs 事前に基板にプロセスを加え、基板内に導通部 が形成されているものをお届けいたします。 【最終市場】 CMOSなどの基盤に最適です。 •テレコミニケーション 内部導通箇所はウエハーをエッチし、ドープさ •医療 れたポリシリコンが埋め込まれています。ウエ •自動車 ハーは表面のメタル汚染基準や、平面性が保た •一般消費者向け れており、パーティクルも業界のスタンダード •楽器 に見合うグレードのものです。これらのウエハ ーは1200℃の拡散工程にさらされても安定した 基盤のパフォーマンスが確認されております。 アイスモスはお客様のスペックに見合う内部導 通のソリューションをパートナーとして開発し 、お客様の回路やセンサー向けにお望みの内部 導通パターンに仕上げます。 TSVウエハーには 横や下にボンディングパッドがあしらわれます が、そのデザインはお客様の要求事項に見合う ように最適化され、カスタマイズいたします。 ライナー酸化つき ポリシリコン付き TSV Wafer TSV Wafer TSV Wafer Liner Oxide Polysilicon Interconnects

https://www.jp.icemostech.com トップとボトム間をAl-Siメタルを 使ってコンタクト直接バイアスする。追加 のインプラや拡散は必要ありません。特性 は低電流のレベルにおいても、完全にオー ミックコンタクトを示しています。 TSV Specification パラメーター 仕様範囲 ビア（貫通）のアスペクト比 <15:1 ウエハー直径 100mm & 150mm ウエハー厚さ 300-525μm 最大の直径 40μm （最小サイドにおいて） 最小ピッチ 90μm (ビア幅の3倍) ポリ抵抗率 <5 mΩ-cm 隔離抵抗値 オキサイドライナーによる (デザインによる依存性) 酸化膜厚 0.2-2μm 上記は標準の仕様ですが、特定の仕様のソリューションについて、喜んでお客様のご要望を検討させて頂きます。 他のスペックなどお問合せなどがありましたら、セールスチームへコンタクトして下さい: sales@icemostech.com

https://www.jp.icemostech.com ファウンドリーサービス アイスモス・テクノロジーはお客様のウエハーに広域の 【主な特徴】 追加プロセスサービスを行っております。 アイスモスはBSOI(Boned SOI)やCSOI(Cavity SOI)ウエ  高品質 ハーに高解像度のSAM（Scanning Acoustic Microscope）  低コスト 画像を提供しておりますが、お客様の貼り付けウエハー  低欠陥密度 に関してもSAM検査サービスを提供いたします。  マルチレイヤ― SAM検査は、非破壊で貼り付けられた界面の画像を確認  お客様の要求事項に合わせた することができます 。一般的な非破壊検査の方法として プロセス 順序を適用 知られる超音波テストや赤外線顕微鏡、X線顕微鏡と比 べ、SAMは検体の界面からの超音波を反映して特別な変 換機で変換した画素イメージとして検出します。アイス モスのSAM検査は横幅10um・高さ15nmの剥離構造を検 出限界として100-200mmのウエハー直径の全体像を20um のピクセルサイズにて提供します。 特定箇所においては より高解像度にてスキャンすることもできます。 アイスモス・テクノロジーはエンジニアリングの専門知 識を駆使してプロセスフローの開発CAD（Computer Aided Design）レイアウトを使ってマスクセットや断面 構造設計をいたします。標準的なアイスモスのユニット プロセスファンドり―サービスは、他にない卓越した サービスです。自動車業界のIATF16949の品質マネジメ ントシステムを適用した環境で、統計的プロセスコント ロール（SPC）のタイトな公差によるコントロールや高 度なCMOSが要求する汚染基準など、お客様のご要求に お応えします。 素早いサービスとオンタイムデリバリー でサポートいたします。 エッチングによる高密度 ピラープロセスの例

https://www.jp.icemostech.com DRIE エッチングサービス 深いトレンチエッチはアイスモスの核のテクノロジーです。 20年以上のこの分野の経験で、アイスモスはDRIEシリコンエッチオプションで、最小サイズ幅 2umより、最大300umデバイス層のSOIにおいて、トレンチはアスペクト比２０：１、SOIやSiウ エハー上の大きなパターンは６５％露出まで、最大500um厚のウエハーエッチングをバルクSi やSOI材でアスペクト比１２：１までご提供いたします。必要であれば、弊社では埋め込みの技 術として、トレンチの埋め込みのみだけではなく、引き続くプロセスに応じて完全に平坦なシリ コン面を残すなどができます。 下のイメージは我々のできる一例です。我々のエンジニアチー ムにエッチングの深さ、側面の角度、アスペクト比、露出のエッチングエリアや、埋め込みの必 要性などコンタクトして下さい。 SOIウエハーにおけるアンダーカットのない SOI層にエッチされたトレンチに埋め込まれる酸化膜 隣り合う高、低アスペクトトレンチの加工例 およびポリ層 薄膜堆積と拡散 高度なプロセス管理と、高い温度の熱酸化膜、LPCVD TEOS 膜、LPCVD ポリシリコン膜などアイスモスはこれら の装置で、エッチングされた構造を埋める、または熱的または犠牲酸化処理、またはＮ＋ドープ処理、ノンドープ ＬＰＣＶＤポリなどを提供いたします。 プロセス 直径 最小厚さ 最高厚さ 公差許容 ノート (+/-) ドライ酸化 100mm, 125mm, 150mm & 200mm 24nm 200nm 15% ウェット酸化 100mm, 125mm, 150mm & 200mm 100nm 6000nm 5% ノンドープ LPCVD ポリシ 100mm, 125mm & リコ 150mm 200nm 4500nm 10% Per deposition ン Heavily doped LPCVD 100mm, 125mm & Polysilicon 150mm 200nm 4500nm 10% Per deposition (n++) LPCVD TEOS 100mm, 125mm & オプション1050Cの 150mm 200nm 1000nm 5% 緻密化 上記は標準の仕様ですが、特定の仕様のソリューションについて、喜んでお客様のご要望を検討させて頂きます。 他のスペックなどお問合せなどがありましたら、セールスチームへコンタクトして下さい: sales@icemostech.com