高耐圧 Super Junction MOSFETs

https://www.jp.icemostech.com 高耐圧 Super Junction MOSFETs 製品カタログ Ver.202３

https://www.jp.icemostech.com スーパージャンクションMOSFETの特徴: ✅ High Voltage 高耐圧６００V以上 ✅ Low On-Resistance 低オン抵抗 ✅ Ultra Low Gate Charge 超低ゲート電荷量 ✅ High dv/dt Capability 耐高dv/dt ✅ High UIS capability 高耐アバランシェ特性 ✅ High peak current capability 高耐ピーク電流特性 ✅ Increased transconductance performance 増相互コンダクタンス特性 アプリケーション: ✅ IT ハードウエア : data center, servers, cloud, laptops, tablets ✅ 屋内外の電灯 : HID 電灯 and LED 電灯 ✅チャージャー、アダプターなどの電力電源、充電器 ✅ EV急速充電器 ✅ ソーラーインバーター等再生エネルギー ✅ 電気自動車、産業用システム パッケージ: ✅ RoHS指令 (EU)2015/863 ✅ 鉛フリー ( Pb free )リードおよび製品内部に鉛不使用 ✅ハロゲンフリー ハロゲン素材不使用 鉛フリー ハロゲンフリー ✅モールド Green素材 TO247 TO220 TO220FP DPAK D2PAK 新登場！DFN8x8 8mm角 リードレスパッケージ ＊モジュール化の可能のお客様にはウエハー売りも提供しております。 スーパージャンクション製品について 弊社のスーパージャンクションMOSFETはウエハー製造を日本国内ファンドリーパートナーを通じて、弊社 のパテントであるMEMS トレンチプロセスで製造されており、アジア圏の組み立て、検査を経て出荷してお ります。 20年以上の半導体製造経験を持つ技術チームがお客様をサポートいたします。マネジメントシス テムもIATF16949・ISO9001・ISO14001認証を弊社およびサプライチェーンにて管理。 スーパージャンクション MOSFET は、ほとんどの電源アプリケーションに適用可能な、省エネルギーを促進する 重要なデバイスです。 製品のお取り扱いについて １．半田温度 フロー、リフローは260℃Max 浸漬10秒まで2回 , 手半田は380℃Max 浸漬3秒まで1回 ２．Shelf Lifeガイドライン パッケージ製品5年、ウエハー製品3年 ３．急激な温度変化を避け、温度5～35℃、湿度20～75％RHで保管して下さい。 TO220,TO220FP,TO247のモイスチャーセンシティブレベルはMSL1となります。 ４．腐食や塩化、荷重負荷、直射日光は製品を劣化させる原因となるため、これらを避けて保管して下さい。 ５．静電気(ESD)によるダメージを防ぐため、保管は耐ESD対応の包装、また取り扱いには充分気を付けて、 ジグ、装置、ベンチなどに抵抗を介したアースを取って、放電を避けて下さい。 ６．弊社製品はRoHS, REACH を順守しております。また一切の紛争地帯からの鉱物は使用しておりません。 この広告の内容については予告なく変更になることがあります。免責事項についてはデータシートに記載してあります。

スーパージャンクションMOSFETs https://www.jp.icemostech.com BVDSS ID RDSON Qg FOM IAR Package *Pbfree ここに掲載されてない Min. Max. Max. Typ. (Ω・ TO=TO220* 製品も多数あります。 (A) (V) (A) (Ω) (nC) nC) FP=Full Pak* ホームページより GEN Product W=TO247* ご覧いただけます。 Avalanche D=TO252 L=DFN B=TO263 Current C=Wafer* ICE47N60 600 47 0.068 189 12.85 20 W,C ICE60N130 600 25 0.15 84 12.60 11.5 TO,FP,W,C ICE22N60 600 22 0.16 84 13.44 11 TO, B ,W ICE20N170 600 20 0.199 59 11.74 10 TO,FP,W,C,B 1 ICE20N60 600 20 0.19 59 11.21 10 TO,FP,W,B,C GEN1シリーズ： コストメリットと ICE19N60 600 19 0.22 59 12.98 9.5 L8x8 強いUIS特性が ICE15N60 600 15 0.25 59 14.75 7.5 TO,FP,W,L8x8 特徴。 ICE11N70 700 11 0.25 84 21.00 7.5 TO,FP,W,B,C ICE10N60 600 10 0.33 43 14.19 5 TO,FP,W,B,L8x8 ICE32S60 600 32 0.078 47 3.67 10 TO,FP,W,C GEN2シリーズは ICE25S65 650 25 0.133 34 4.52 8 TO,FP,W,C,B 202３年より一部 ICE24S65 650 24 0.141 34 4.79 8 L8x8 量産開始 2 ICE15S60 600 15 0.175 30 5.25 5 低ゲートチャージ TO,FP,W,C,B 低いFOMを実現。 ICE14S65 650 14 0.195 24 4.68 5 TO,FP,W,C,B ICE8S65 650 7.8 0.4 11.5 4.60 2.7 TO,FP,W,B,C,L5x6 ICE117T60* 600 117 0.0134 304 4.07 13 Wplus GEN3： 3 ICE18T60* 600 18 0.15 31 4.65 5 TO,FP,W,B,D,C,L5x6 開発中 ICE15T65* 650 15 0.22 23 5.06 2 TO,FP,W,,B,D,C,L5x6 採用事例：HID light ballast application, Street Light, Power Supply Unit, ATX 600W, SMPS , ATE 420W など。 以下は回路の使用例です。 アプリケーション 使用例 ICE60N130やICE25S65を2個使用した例 ICE47N60やICE32S60を4個使用 ICE20N170,ICE60N130を1つ使用した例。このシステムは広範囲の出力を供給できます。 ICE15S60やICE20N170を2個使用した例 フライバックに比べ、ダイオードとチョークコイルを入れる必要はありますが、 リップル電圧は他のコンバーターと比べると大きいので比較的大き目のキャ リップル電圧は低くなります。出力電圧は一次側と二次側のTurn比で決まります。 パシターが必要となる。出力電圧は一次側と二次側のTurn比で決まります。 この広告のこ内の容広に告つのい内て容はに予つ告いなてくは変予更告になくる変こ更とにがなあるりこまとすが。免あ責り事ま項すに。免つ責い事て項はにデつーいタてシはーデトにー記タ載シーしてトにあ記り載ますして。 あります。

https://www.jp.icemostech.com アプリケーションマトリクス表 ★：各アプリケーションで使われる回路を表示 回路 出力電力(W) アプリ AC-DC DC-DC DC-AC ICEMOS # ケーション Half Full Full Fly For LLC Full Inverter 品番 Min Max wave Wave1 Wave2 back ward Half Bridge Bridge ICE25S65 a1 SMPS 力率改善 500 ★ ★ ICE60N130 ICE47N60 a2 LLCハーフブリッジ 1000 ★ ICE32S60 低電力SMPS ICE15S60 b 100 ★ 疑似共振フライバック ICE20N170 高電力SMPS ICE47N60 c 500 1500 ★ LLCハーフ ブリッジ ICE32S60 ICE47N60 d ATX電力 200 1600 ★ ★ ★ ★ ★ ★ ICE32S60 5k- ICE117T60 e1 LEDテレビ 140inch ★ ★ ICE47N60 ICE25S65 e2 LEDライト 20 500 ★ ★ ★ ★ ★ ICE60N130 データセンター 500k-1k ICE117T60 f AC/DC node ★ ★ ICE47N60 （サーバ・テレコム） ICE117T60 g 急速充電器 3k 400k ★ ★ ICE47N60 チャージャー ICE15S60 h 36 90 ★ ★ ★ PCアダプタ ICE20N170 ICE25S65 i TV電源 24 410 ★ ★ ★ ★ ICE60N130 ICE117T60 j UPS 500 10k ★ ★ ★ ★ ICE47N60 ICE117T60 k 太陽光インバータ 300 6k ★ ★ ★ ★ ICE47N60 ICE25S65 l HID道路照明 22 500 ★ ★ ★ ICE60N130 ICE60N130 m ゲーム 100 200 ★ ★ ★ ICE20N170 ICE60N130 n LEDサイン電灯 10 250 ★ ★ ★ ICE20N170 ICE117T60 o 電動自転車 600 40k ★ ★ ★ ICE47N60 ICE117T60 p プリンター 10 1500 ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ICE47N60 ICE60N130 q1 家電　冷蔵庫 200 300 ★ ★ ★ ★ ICE20N170 ICE117T60 q2 家電　洗濯機 800 1500 ★ ★ ★ ★ ICE47N60 ICE117T60 r1 オーディオアンプ 200 x n 5k x n ★ ★ ★ ICE47N60 ICE117T60 r2 プロジェクター 300 2k ★ ★ ★ ★ ICE47N60 ICE47N60 s1 自動車オーディオ 10 x n 100xn ★ ★ ICE32S60 ICE15S60 s2 自動車ナビ 10 20 ★ ICE20N170 ICE117T60 u 3Dプリンター 180 1500 ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ICE47N60 ICE15S60 v スマホアダプタ 20 90 ★ ★ ★ ICE20N170 ICE117T60 w 組立電源 320 1300 ★ ★ ★ ICE47N60 ICE15S60 x タブレット端末 200 1500 ★ ★ ★ ICE20N170 ICE117T60 ｙ 極小インバータ 200 1500 ★ ★ ★ ICE47N60 この広告の内容については予告なく変更になることがあります。免責事項についてはデータシートに記載してあります。 Company Profile: Icemos Technology Corporation Website: www.jp.icemostech.com  平均25年の経験を持つエンジニアによるデザイン CEO: Samuel Anderson  弊社は安全性や電気製品の効率改善を促進するSJ MOSFETで業界を 設立: 2004 リードするサプライヤーです。 Structure: 非上場企業 弊社は100つの知的財産権を保有しており、これらの特許により有効 ヘッドオフィス：米国アリゾナ州 従業員数: ９２ 名（世界） 可能な弊社の技術やプロセスラインセンスを保持しております。 事業所：Icemos Technology Ltd. （英国、北アイルランド Belfast） 製造: SOI Wafer（Belfast, UK) SJMOSFET: 製造協力会社によるウエハー製造 （日本国内）および組立、検査（アジア） グローバル拠点：米国、日本（東京）、中国 マネージメントシステム： ISO9001、ISO14001、IATF16949 取得