ウエハ全面をダメージレスで一括ダイシング可能なプラズマダイサー　APX300-DM

半導体関連システム ドライエッチャー カタログ 機種名 APX300 品番　　 ( ダイサーモジュール ) NM-EFE4AA-D プラズマダイサー • ウェハ全面をダメージレスで一括ダイシングし、強度の高いチップ分割を実現。 • シングルチャンバー構成で研究開発から量産まで幅広く対応可能。 • 同一チャンバーで異なる材質の連続加工が可能。 ( Si＋絶縁膜 ※ ) • 200 mm リングフレーム付きウエハ / 300 mm リングフレーム付きウエハに対応。 ※SiO2、SiN、etc ※オプション構成やお客様仕様によっては 　機械指令及びEMC指令に適合しない 　場合があります。 機 種 名 APX300 品 番 NM-EFE4AA-D プ ラ ズ マ 方 式 ICP ( 誘導結合プラズマ ) プ ロ セ ス ガ ス 標準4系統 ( Max.6系統まで増設可：フッ素系ガス、Ar、O2、He等 ) 処 理 対 象 ウ エ ハ※1 標準φ 200 mm 、またはφ 300 mm ( リングフレーム付き ) 設 備 寸 法 ※2 W 1 350 mm × D 2 230 mm × H 2 000 mm ( シングルチャンバーシステム ) 質 量 2 330 kg ( 設備構成により異なります ) 電 源 ※3 三相 AC 200 / 208 / 220 / 230 / 240 ±10 V、50 / 60 Hz 、21.0 kVA 空 圧 源 0.5 MPa ～ 0.7 MPa、250 L / min ( A.N.R. ) N 2 源 0.1 MPa ～ 0.2 MPa、50 L / min ( A.N.R. ) 詳細は、仕様書を参照願います。 ※1：その他のサイズのウエハにつきましては当社へご相談ください。 ※2：タッチパネル、操作パネル、シグナルタワー、配管等の突起物は含みません。 　　　ドライポンプ、チラー等の周辺機器は含みません。 ※3：三相電源は2系統あり、その合計を表しています。ドライポンプ、チラー等の周辺機器は含みません。

取れ数増加・全面一括加工による生産性向上に貢献 高い抗折強度 ( チップ強度 ) を実現 ブレードダイシング プラズマダイシング Ave. 357 Ave. 1514 ６0 μm 5 μm チップ強度 ブレードダイシング Blade dicing アップ プラズマダイシング Plasma dicing ダイシング幅最小化 抗折強度［ MPa ］ Fracture sterength［ MPa ］ 線による加工 全面一括加工 Front side (Device surface) Front side Backside TEM ダメージ チッピング フリー フリー Back side ウエハ全面一括ダイシング ダメージフリーダイシング コンパクトなシングルチャンバーシステム さまざまなデバイスに対応 研究開発から量産まで幅広く対応 加工事例　 Flexible Si + SiO2 Bump wafer Si SiO2 High Aspect ratio Wafer and DAF GaAs Wafer Si DAF 安全に関するご注意 ●ご使用の際は、取扱説明書をよくお読みの上、正しくお使いください。 ●カタログの記載商品を安全に使用して頂くために、取扱いについては稼働時、停止時に拘らず、設備付属の取扱説明書および 　設備の警告を十分確認した上で正しい作業を実施されますようお願い致します。 パナソニックグループは環境に配慮した製品づくりに取り組んでいます 詳しくは こちら ●お問い合わせは… パナソニック コネクト株式会社 回路形成プロセス事業部 〒571-8502 大阪府門真市松葉町２番７号 このカタログの記載内容は 2024年10月1日現在のものです。 Ver.2024.10.1 © Panasonic Connect Co., Ltd. 2024 ●仕様および外観の一部を改良のため予告なく変更することがありますのでご了承ください。　 ●ホームページからのお問い合わせは https://industrial.panasonic.com/jp/r/fw 累積度数 Cumulative frequency