Microwave Dielectric Materials 低損失高誘電率セラミックス

Microwave Dielectric Materials 低損失高誘電率セラミックスはマイクロ波デバイスの小型化に、大きく貢献します。 Low-loss high-dielectric-constant ceramics contribute greatly to the miniaturization of microwave devices. 　Quick Delivery 　　 短納期で対応いたします。 　High Quality 品質係数の高い共振器を提供いたします。 　Flexible Quantity　少量多品種から量産規模まで対応可能です。 Application Material ε t f Density Sintered r F0 × Q Value Resonator Code 3 (ppm/℃) (g/cm ) Color TEM TE Substrate mode mode D-4 Tanδ：0.0013 3.8 - （ Under development） Under development (@10 GHz) 2.3 White D-6 6±1 >50,000 (@16.5GHz) 0±10 2.7 White 〇 ‐ 〇 D-9 9±1 >35,000 (@9.5GHz) 6±5 3.3 Glay 〇 ‐ 〇 D-21 21±1 >60,000 (@6.5GHz) 5±5 3.7 Brown 〇 ‐ 〇 D-24 24±1 >300,000 (@10GHz) 1～3±1 *1 7.5 Yellow ‐ 〇 ‐ D-30 30±1 >150,000 (@10GHz) 0～5±1 *1 7.7 Ivory ‐ 〇 ‐ D-36 37.5±1 >20,000 (@5.0GHz) +3±3 4.7 Ivory 〇 ‐ 〇 D-38 38±1 >47,000 (@5.0GHz) 1±3 5.1 Green 〇 〇 〇 D-40 40±1 >70,000 (@5.0GHz) -2～6±5 *1 5.6 Brown ‐ 〇 ‐ D-45 46±1 >43,000 (@6.0GHz) -2～6±1 *1 4.7 Ivory ‐ 〇 〇 D-45N 45.5±1 >45,000 (@4.5GHz) 0±2 *2 4.8 Purple ‐ 〇 ‐ D-90 92±2 >5,000 (@3.5GHz) 0±5 5.7 Yellow 〇 ‐ 〇 HiQ-Al2O3 9.8±1 >150,000 (@12GHz) -60 3.9 White 〇 ‐ 〇 *1　tf微調整可能です。*1 tf can be fine-tuned *2 tf直線性良好。*2 tf is liner with temperture. 上記以外のご希望の材料についても、ご相談承ります。(Er: 4～190、Hi-k 4000) Please contact us for other materials you wish to use.(Er: 4～190、Hi-k 4000) v用途/Application 高電力基地局用共振器, BSアンテナ用共振器,　障害物検出器,衝突防止装置 マイクロ波通信機等 VCO,業務用簡易無線機,携帯無線機、移動体通信機,誘電体アンテナ, GPS, 各種フィルター Resonators for base stations, BS/CS antenna, millimeter wave radar, microwave communication, MIC, VCO, GPS and Filters etc. TE01 δ Mode TEM Mode TEM Mode with Tab Antenna Ceramic Substrate DAIKEN CHEMICAL CO.,LTD Q3 GIFU

Coaxial Resonators TEM Mode Resonator 　60MHｚ～7000MHｚ Agペーストからの一貫開発・生産により、Cuメッキ品より高いQ値が得られます。 Through integrated development and production of Ag paste, a higher Q value can be obtained compared to Cu-plated products. 外径：1.55mm □ ～18mm □、長さ：最大100ｍｍまで対応可能です。 A vailable outer diameter size is 1.55mm □ ~ 18mm □, φ16 ~ φ45.The maximum length is 100mm. トレー、テーピング等各種包装にて提供可能です。 Various package options available; bulk packaging, tray, taping and so on. Coaxial Resonator with Tab ・Size :3mm□～12mm□ Available outer diameter size is 3mm □ ~ 12mm □. ・タブ形状はご希望に沿ってカスタマイズ可能。 Tab shape can be customized according to your request. Resonator size and Qu 角型（Squeare shape） OD ID L MAX 1.5 0.62 10 1.8 0.68 10 2.0 0.83 10 2.5 0.90 11 2.9 1.03 11 3.0 0.98 11 3.5 1.17 15 4.0 1.20 26 5.0 1.48 26 6.0 2.22 33 6.0 2.35 33 6.0x7.0 2.35 33 7.0 2.20 15 8.0 2.59 40 10.0 2.85 45 12.0 3.50 45 18.0 5.25 45 丸型（Cylindical shape） ODφ(mm) IDφ(mm)    L Max     16 5.25 55 17.5 4.62 55 24.5 8.56 80 30 8.84 80 45 12.8 80 Q3 GIFU

High-Q TE01δ Mode Resonator Hi-Q材（D-24： fxQ>300,000、 D-30：fxQ>150,000）TEモード共振器。 High Q factor materials (ex. D-24, D-30) are available. 共振周波数は1～26GHzまで対応可能です。 Available frequency is 260MHz to 26GHz 支持台はアルミナ、フォルステライト製、石英で対応。 The support stand is made of alumina or forsterite. f 0 D T D Material Qu Cavity （GHz） （mm） （mm） 5 14.0 5.0 20,000 A 6.5 10.5 4.0 20,000 A T Dielectric 7.5 9.0 3.5 19,000 A D-24 10 6.5 3.0 8,000 A Support 13 5.0 2.0 6,000 B 18 3.7 1.5 4,000 B 60 1.0 0.5 - - D‐24 TE01δ Mode Resonator D f 0 D d T Material Qu Cavity d （GHz） （mm） （mm） （mm） 1.3 46 14 20 52,000 C 3.9 16 7 6.3 24,000 D 5.5 11 3 5.5 20,000 A T D-30 Dielectric 6.0 10 3 5.0 20,000 A Support 6.5 9 3 4.5 15,000 A 7.5 8 3 4.5 15,000 A D‐30 TE01δ Mode Resonator Cavity　Size A B C D 外径 Outer diameter （mm) 32φ 10.5×30 130φ 50φ 高さ Height （mm) 14 7 80 35 D-40材（Low cost 品）もございます。D-40 （Low cost）is available. Q3 GIFU

UHF TE-mode Resonator OD ID T dielectric Support D-45 φ110xφ20x52t Cavity：145x145x110 OD ID T F0 Material Q (mm) （mm） （mm） （MHz） D-38 110 ― 47 510 26,000 110 20 52 475 25,000 110 37 45 485 21,000 D-45 120 37 45 487 21,000 100 20 44 523 25,000 112 20 59 456 23,000 D-45N 100 20 67 506 28,000 用途 Application 消防基地局、地上デジタル放送基地局、各種業務無線、その他UHF通信 Fire-Fighter redio, DTV, Business radio, and other UHF radio comunicaiton Q3 GIFU

Ceramic Substrate & Thin-Film Circuit 高いQ値で優れた温度特性を有した高周波誘電体基板です。 High-frequency dielectric substrate with excellent temperature characteristics with high Q value. 電極を形成し、単板セラミックスコンデンサにも対応します（0.1～1000 pF）。 By processing the electrodes, we can create a single layer capacitor from 0.1 to 1000pF. 積層導電膜のパターニングや、スルーホール、キャスタレーションも対応します。 Patterning, through holes, and castration of laminated conductive films are also supported. 対応可能材料 外径サイズ(mm) 厚み(mm) 導体膜構成 Materials Size（mm） Thickness Metallization D-6, D-9, D-21, Ag、 D-38, D-45, D-90, ＜55×55 0.254～10 Cr/Pd/Cu/Ni/Au、 HiQ-Al2O3 Ti/Pt(Pd)/Au マイクロストリップラインフィルタ セラミックス基板 Microstrip line filter （提供：（株）オリエントマイクロウェーブ） Ceramic substrate （ Image offered by Oreint Microwave Co., Ltd.） 積層膜形成例 Ex. of laminated films Au Ni 薄膜抵抗 Cu Cr/Pd/Cu/Ni/Au Pd キャスタレーション Cr レーザ穴あけ加工 Substrate Crコート Au スルーホール Ti/Pt(Pd)/Au Pt（Pd) Ti Substrate 外径レーザーカット ※各種膜厚はご要望に応じてご対応致します。 Various film thicknesses are available according to your request 導電膜のパターン形成 と 基板形状加工（提供：東洋精密工業（株）） Pattern formation and substrate shape treatment of conductive films （ Image offered by TOYO PRECISION PARTS MFG. CO., LTD ） DAIKEN CHEMICAL CO.,LTD Q3 GIFU