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車載用SiC-MOSFET 1200V HybridPACKドライブ

HybridPACK™ Driveは、非常にコンパクトな6パックモジュールで、チップ数の異なる1200V/400A
(1つのスイッチに8個のチップ)と1200V/200A (1つのスイッチに4個のチップ) の2種類があり、ハイブリッド車や電気自動車に最適です。本パワーモジュールには、電動ドライブトレイン用に最適化された新製品CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200Vが実装されています。
新製品は、IGBT B6モジュール版と同じパッケージのため、シリコンからシリコンカーバイドへのアップスケールが容易です。これにより、インバータの設計において、最大250kWの高出力化、航続距離の延長、バッテリーの小型化、システムサイズとコストの最適化を実現します。

主な特長
電気的特長
 新しい半導体材料 - 炭化ケイ素 (SiC)
 ブロッキング電圧 1200 V
 低いRDS(on)
 低いスイッチング損失
 低いOgとCrss
 T vj op= 150°C

機械的特長
 絶縁4.2kV/DC/秒
 長い沿面距離とクリアランス距離
 コンパクトなデザイン
 高い電力密度
 直接冷却 PinFinベースプレート
 高性能Si3N4セラミック
 UL 94 V0モジュールフレーム

このカタログについて

ドキュメント名 HybridPACK™ Drive CoolSiC™
ドキュメント種別 製品カタログ
ファイルサイズ 620.7Kb
登録カテゴリ
取り扱い企業 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン株式会社 (この企業の取り扱いカタログ一覧)

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このカタログの内容

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PROFET™ +2 12V -ESP 保 護付きハイサイドスイッチのPROFET™ +2 12Vファミリーは、最先端の診 断機能と保護機能を搭載しています。さらに、モノリシックチップ内に最先端の診 断/保護機能、優れたエネルギー効率、最先端の電流センス精度 (kILIS)、 低いクランキング電圧対応を備えています。 今回発売するTSDSO-24パッケージのBTS700xx-1ESPは、低オン抵抗RDS(ON)領域の製品群を拡充し、最大32Aの電流を 駆動することができます。また、最新の機能である容量性負荷スイッチングモードを搭載し、安全な動作領域で容量性負荷をスイッチ ングすることができます。TSDSO-14パッケージとのピン互換と機能互換により、設計の自由度が高くなっています。 主な特長 主な利点  保護および診断機能  最大32Aの電流を駆動  容量性負荷スイッチング  容量性負荷スイッチングモード  TSDSO-24パッケージとTSDSO-14パッケージ間のピン互換性 競合製品に対する優位性 対象となるアプリケーション  モノリシックチップで低オン抵抗の製品ラインアップ  電源分配  ボディコントロールモジュール(BCM)  ヒーター負荷  高エネルギー負荷 ブロック図 製品関連情報/オンラインサポート 製品ファミリーページ アプリケーションノート 製品概要および製品データシートページへのリンク 発注可能な部品番号 SP 番号 パッケージ BTS700121ESPXUMA1 SP002447696 PG-TSDSO-24 BTS700151ESPXUMA1 SP002447698 PG-TSDSO-24 BTS700201ESPXUMA1 SP002447700 PG-TSDSO-24 部外秘資料:掲載情報は、2021年6月1日以降有効です。最新版の販売価格表で最新価格および最小発注数をご確認ください。
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【PROFET™ +2 12 V -ESP】 FAQ TM Visit PROFET +2 12V FAQ App.-Note for more FAQs What are the advantages of high side switches compared to relays? - Reduced wire harness to optimize system cost and weight - Enhanced diagnostics. protection and EMC robustness - More switching cycles can be achieved with a smart switch TM What to consider for layout when using PROFET +2 12V ? - Minimize parasitic capacitance associated with the digital input pins (IN. DEN. DSEL). by placing RIN. RDEN and RDSEL as close as possible to the pin; add openings in supply and GND layers –Higher temperature operation: the 175°C TJ_MAX offers more power at a higher operating junction temperature Place RGND as close as possible to the device Place CVS and COUT as close as possible to the device etc. 3. Why is the new generation of smart switches better than the competition? – Power dissipation is drastically reduced by 50% – PCB area can be saved due to the integrated network – Smalles available package in the market - Best in class diagnosis and protection concept 部外秘資料:掲載情報は、2021年6月1日以降有効です。最新版の販売価格表で最新価格および最小発注数をご確認ください。