インバータなどで使用される大電力パワースイッチング半導体を駆動させる製品。
低ノイズなのでIGBT、SiC-MOSFETのどちらにも対応可能。
機器の設計を大幅に簡素化します。
このカタログについて
| ドキュメント名 | 昨今普及が加速しているSiC・IGBTパワーモジュールを駆動させるための「ゲートドライバ」 |
|---|---|
| ドキュメント種別 | 製品カタログ |
| ファイルサイズ | 6.1Mb |
| 登録カテゴリ | |
| 取り扱い企業 | 株式会社タムラ製作所 (この企業の取り扱いカタログ一覧) |
このカタログの内容
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表紙 201902_タムラ製作所様 備考：
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パワーエレクトロニクス 201903_タムラ製作所様 備考：A4 4校
17. 高性能珪素鋼（Fe-Si）ダストコアコイル SFGシリーズ
High Performance Silicon Steel Powder Core Coil SFG Series
1904.CH
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unit8 201902_タムラ製作所様 備考： 3校
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unit8 201902_タムラ製作所様 備考： 2校
VO2+
COM2
VO2-
VO1-
COM1
VO1+
お客様相談室
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unit9 201902_タムラ製作所様 備考： 初校
お客様相談室
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unit10 201902_タムラ製作所様 備考： 2校
Three-level用IGBT専用ゲートドライバ
4DUCシリーズ
5700nC T1,T4 : 8500nC, T2,T3 : 4300nC
7.5kHz(Ave), 15kHz(Peak) (T.B.D)
+105ns/-110ns(TYP)
Auto Recovery, Interval: 110 ms(TYP)
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unit10 201902_タムラ製作所様 備考： 2校
[CN101] [Power Module]
No. Name No. Name
1 VIN(+) 1 T4E
2 VIN(-) 2 T4G
3 VIN(+) 3 T1E
4 VIN(-) 4 T1G
5 VCC 5 T1C
6 GND 6 T2E
7 VCC 7 T2G
8 GND 8 TH
9 ALM 9 TH
10 GND 10 T3E
11 IN4 11 T3G
12 GND
13 IN3
14 GND
15 IN2
16 GND
17 IN1 [CN102]
18 GND No. Name
19 RTC 1 TH1
20 GND 2 TH2
CN101 : RA-H201SD / JST For power supply・signal Connection on the power module
Pin No. Name Function Pin No. Name Function
1 VIN(+) Power supply for DC/DC converter(+) 1 T4E T4 Emitter connection
2 VIN(-) Power supply for DC/DC converter(-) 2 T4G T4 Gate connection
3 VIN(+) Power supply for DC/DC converter(+) 3 T1E T1 Emitter connection
4 VIN(-) Power supply for DC/DC converter(-) 4 T1G T1 Gate connection
5 VCC Power supply for drive circuit 5 T1C T1 Collector connection
6 GND Ground for drive circuit 6 T2E T2 Emitter connection
7 VCC Power supply for drive circuit 7 T2G T2 Gate connection
8 GND Ground for drive circuit 8 TH For thermistor
9 ALM Alarm signal output 9 TH For thermistor
10 GND Ground for drive circuit 10 T3E T3 Emitter connection
11 IN4 Control input 4 11 T3G T3 Gate connection
12 GND Ground for drive circuit
13 IN3 Control input 3 CN102 : S02B-XASS-1 /JST For thermistor
14 GND Ground for drive circuit Pin No. Name Function
15 IN2 Control input 2 1 TH1 For thermistor
16 GND Ground for drive circuit 2 TH2 For thermistor
17 IN1 Control input 1
18 GND Ground for drive circuit
19 RTC Recovery time of protection circuit control
20 GND Ground for drive circuit
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Unit Business Unit
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unit3 201902_タムラ製作所様 備考： 2校
1us(typ)
1us(typ)
電源
(Ref OUT mode)
Terminal No.( 端子番号）
電気 *1 ±1mV（Vout(@Ip=0A)-Vref） ①Vcc（+5V）
Electrical offset voltage ②GND
③Vout
Ambient operating temperature*2 ④Vref（IN/OUT）
*1 電気オフセット電圧はコアヒステリシス除去後の値とする。
Electrical offset voltage value is after removal of core hysteresis. Unit（単位）：mm
*2 一次導体(バスバー等）の煽り熱による製品の温度上昇が無い条件とする。
Condition that there is no temperature rise of the product dueto the heat generated by the primary conductor (bus bar).
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追加2 201902_タムラ製作所様 備考： 5校
SOLIDFORMER® Relay
参考出展
Reference exhibit
外形図 Outline drawing 内部構造図 Internal structure
10V Power- FET
SOLIDFORMER®
5V D
OSC E Gate
0V T OUT
1uF
ON/OFF
Isolation
Source
※TSR050100；L=32
1. 超音波による信号伝送及び電力伝送。 1. Signal transmission and power transmission by ultrasonic waves.
（ 磁気部品、光部品を不使用） (Non-use of magnetic and optical components)
®
2. SOLIDFORMER®(圧電トランス)による絶縁。 2. Insulation by SOLIDFORMER (Piezoelectric transformer).
3. Large driving power. It is possible to increase the capacity of the
3. 駆動電力が大きい。出力FETの大容量化、高速動作が可能。 output FET and to operate at high speed.
4. 交流、直流両用。微小電流から大電流までの 4. AC and DC input are available.
スイッチングが可能。 It is possible to switch from a small current to a large current.
5. 半導体接点。チャタリング、騒音、振動が少ない。長接点寿命。 5. Semiconductor contact. Less chattering, noise, and vibration.Long contact life.
リレーの種類 Relay type
1. 産業機器 1.Industrial equipment メカニカルリレー 半導体リレー SOLIDFORMER® Relay
2. ロボット 2.robotics Mechanical Relay Solid State Relay
3. 空調設備 3.air-conditioning equipment 寿命 △ ◎Life 〇
4. 蓄電装置 4.Energy storage system 速度
5. 計測機器 △ 〇 〇5.Measuring equipment Speed
参考仕様 Reference specification
Power-FET 内蔵型 代表例 Typical example of Power-FET built-in model Ta=25℃
型 番 負荷電圧（V） 連続負荷電流（A） 動作/復帰時間（ms）
Parts No. Load Voltage（V） Load Amp. (A) Operating / Recovery time (ms)
TSR05602A 60 20 1 max.
TSR05200A 200 4.5 1 max.
Power-FET 外付け型 代表例 Typical example of Power-FET external model Ta=25℃
型 番 ON時出力電圧（V） OFF時出力電圧（V） 供給平均電力（mW）
Parts No. Output voltage by ON (V) Output voltage by OFF (V) Power supply as average (mW)
TSR050100 10 0.6 1
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mag2 201902_タムラ製作所様 備考： 初校
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