応用事例: ホームアプリケーション
本アプリケーションノートは、Icemos Technology Ltd.が提供する高耐圧 SJMOSFET 製品の電気的特性、各種回路例、データなどを参考資料として電源製品を設計される技術者の皆様にご提案いたします。 ◆詳細はカタログをダウンロード...
高耐圧600V以上
◆低オン抵抗 ◆超低ゲート電荷量 ◆耐高dv/dt ◆高耐アバランシェ特性 ◆高耐ピーク電流特性 ◆増相互コンダクタンス特性 ◆詳細はカタログをダウンロードしご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
アイスモス・テクノロジーはICやMEMS応用など広い範囲に適用されるSOI(Sili...
掲載内容 ◆SOI = Silicon on Insulator ◆SiSi = Silicon Silcon bonded ◆DSOI= Double SOI ◆DSP=Double Sided Polished ◆CSOI=Cavity S...
アイスモス・テクノロジーのICE11N70FP は11A,700VのTO220 Fu...
【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
アイスモス・テクノロジーのICE8S65FP は8A,650VのTO220 Full...
【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス
『ICE47N60W N-チャンネル・デバイス』は、IceMOSで評判の高い スーパ...
高パフォーマンス・パワー・システム用に設計され、世界中の AC/DC、DC/DC、およびDC/AC回路などに使用されています。 【特長】 ■TO247パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■...
電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSF...
アイスモス・テクノロジーのICE20N60FPは20A,600Vのフルパックデバイスです。 【特長】 ■TO220 Fullpakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互...
電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメントの省電力化に貢献するパワーMOSF...
アイスモス・テクノロジーのICE10N60FP は10A,600VのTO220FullPak パッケージ です。 【特長】 ■TO220FPパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電...
アイスモス・テクノロジーのICE20N60 は20A,600VのTO-220 パッケ...
【特長】 ■TO220パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス